半导体结构及其形成方法技术

本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一目标阈值；以及在所述外延层表面形成第二栅介质材料层。本申请所公开的半导体结构及其形成方法提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在28nm及以下半导体制造工艺中，高压(High Voltage，HV)半导体器件可包括作为核心器件的低压(Low Voltage，LV)器件以及提供源极驱动的中压(Medium Voltage，MV)器件。器件的阈值电压越高，栅介质层的厚度就越大。因此，中压器件的栅介质层的厚度要大于低压器件的栅介质层的厚度。也就是说，当中压器件和低压器件的沟道高度一致时，中压器件栅介质层的顶部要高于低压器件栅介质层的顶部。二者之间的高度差增加了后续工艺的难度。
[0003]因此，需要对现有工艺进行改进，以提高半导体结构的性能。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以消除不同阈值电压的半导体器件的栅介质层顶部之间的高度差，从而降低后续工艺的难度。
[0005]本申请的一个方面提供了一种半导体结构的形成方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面选择性外延生长衬底材料以形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一目标阈值；以及在所述外延层表面形成第二栅介质材料层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一目标阈值为至3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一目标阈值为至4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部齐平。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅介质材料层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第二目标阈值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二目标阈值为至7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二目标阈值为至8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二栅介质材料层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部齐平。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外延层表面形成第二栅介质材料层的工艺方法包括：对所述外延层表面进行氧化处理。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述外延层表面进行氧化处理的工艺方法包括：原位水汽生成工艺。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第一栅介质材料层表面和所述第二栅介质材料层表面形成第一栅极材料层；刻蚀所述第一栅极材料层以形成第一栅极和第二栅极；分别刻蚀所述第一栅介质材料层和所述第二栅介质材料层以形成第一栅介质层和第二栅介质层；以及在所述第一区域内形成第一源极和第一漏极并在所述第二区域内形成第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别位于所述第一栅介质层两侧，所述第二源极和所述第二漏极分别位于所述第二栅介质层两侧。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨列勇，蔡巧明，马丽莎，李洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：