半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包括提供具有半导体通道层和设置于半导体通道层之间的多层外延层的一鳍片。多层外延层包括设置于第二、第三外延层之间的第一外延层。第一外延层具有第一蚀刻速率，第二和第三外延层具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。方法还包括横向蚀刻第一、第二和第三外延层，以在多层外延层的相对侧表面上提供外凸的侧壁轮廓。方法还包括在相邻半导体通道层之间形成内部间隔物。内部间隔物沿着第一内部间隔物侧壁表面与多层外延层的外凸的侧壁轮廓相接。方法还包括用一栅极结构的一部分替代每一个多层外延层。栅极结构的一部分替代每一个多层外延层。栅极结构的一部分替代每一个多层外延层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例内容涉及一种半导体装置的制造方法，特别是有涉及一种 具有优化的内部间隔物(inner spacer)/金属栅极层(metal gate layer)的界面轮廓 (interfacial profile)的半导体装置的制造方法及制得的半导体装置。

技术介绍

[0002]电子工业对于尺寸越来越小且速度越来更快的电子装置的需求不断增 长，这些电子装置能够同时支持越来越多和越来越复杂的各种功能。因此， 在半导体工业中存在着一种制造低成本，高性能和低功率集成电路(ICs)的 持续性的趋势。迄今为止，通过缩小半导体集成电路的尺寸(例如最小特征 尺寸)并因而提高生产效率和降低相关成本，已经实现了这些目标的很大部 分。然而，这样的尺寸缩减也增加了半导体工艺步骤的复杂性。因此，为 了使半导体集成电路和装置的持续进步得以实现，需要在半导体工艺和技 术上有类似的进步。
[0003]近来，已经引入了多栅极装置(multi
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gate devices)，以通过增加栅极
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通道 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供一鳍片，该鳍片包括多个半导体通道层和设置于所述半导体通道层之间的多个多层外延层，其中所述多层外延层中的每个多层外延层是包括介于一第二外延层和一第三外延层之间的一第一外延层，其中该第一外延层具有第一蚀刻速率，该第二外延层和该第三外延层具有大于该第一蚀刻速率的一第二蚀刻速率；横向蚀刻该第一外延层、该第二外延层和该第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仕承，江国诚，林志昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：