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一种半导体装置的制造方法，包括提供具有半导体通道层和设置于半导体通道层之间的多层外延层的一鳍片。多层外延层包括设置于第二、第三外延层之间的第一外延层。第一外延层具有第一蚀刻速率，第二和第三外延层具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。方法还包括...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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