半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置，包括栅极延伸结构、第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征、沿着一个方向在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之间延伸的通道构件的垂直堆叠以及围绕通道构件的垂直堆叠中的每一个堆叠的栅极结构。栅极延伸结构直接接触第一源极/漏极特征。极/漏极特征。极/漏极特征。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置，尤其涉及具有将一个晶体管的源极/漏极特征连接至另一个晶体管的栅极结构的连接结构的半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业呈指数成长。在IC材料及IC设计的技术进步产生多个IC世代，每一个IC世代比上一个IC世代有更小及更复杂的电路。在IC发展过程中，几何尺寸(例如：工艺可做出的最小部件(或线路))会下降，而功能密度(例如:每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。此微缩过程藉由增加生产效率及降低相关成本提供了优势。此微缩亦增加了IC工艺及制造的复杂性。
[0003]举例来说，随着集成电路(IC)技术朝着更小的技术节点发展，已经引入了多栅极装置，以藉由增加栅极
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通道耦合、减小关闭状态电流(off
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state current)以及减小短通道效应(short
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channel effect；SCE)来改善栅极控制。多栅极装置通常是指具有设置在通道区的多于一侧上方的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一栅极延伸结构；一第一源极/漏极特征和一第二源极/漏极特征；多个通道构件的一垂直堆叠，上述通道构件沿着一方向在上述第一源极/漏极特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智铨，包家豪，林佑宽，洪连嵘，王屏薇，林士豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：