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本发明实施例提供一种半导体装置，包括栅极延伸结构、第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征、沿着一个方向在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之间延伸的通道构件的垂直堆叠以及围绕通道构件的垂直堆叠中的每一个堆叠的栅极结构。栅极延伸结构直接接...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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