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本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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