形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件技术

本申请公开了一种形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件。该方法包括：通过在衬底内形成器件绝缘区域将衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；在高压器件区域形成凹槽；在衬底上形成栅极氧化层；在栅极氧化层上沉淀多晶硅层；以及刻蚀去除多晶硅层的至少一部分，以使得多晶硅层对应于低压器件区域的部分的厚度不同于其对应于高压器件区域的部分的厚度。的部分的厚度。的部分的厚度。

【技术实现步骤摘要】
形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件。

技术介绍

[0002]在目前的工艺中，由于半导体器件中的高压器件需要承受比低压器件更高的电压，使得也会降低相应的一些性能(例如热载流子注入的性能)的可靠性，为了解决这个问题，需要更大的能量对高压器件区域进行离子注入，为防止高压器件被离子穿透导致器件失效，则半导体器件中的高压器件区域所需要的多晶硅的厚度也会更厚。
[0003]现有技术主要是通过在多晶硅栅极上加一层硬掩膜来解决这个问题，由于硬掩膜层在后续工艺中需要被去除掉，而去除的过程不仅会增加成本而且还会对器件产生损害，进而影响器件的性能。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施方式可解决或部分解决相关技术中存在的上述问题。
[0005]根据本申请的一个方面提供的形成多晶硅栅的方法可包括：在衬底内形成器件绝缘区域将衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；在高压器件区域形成凹槽；在衬底上形成栅极氧化层；在栅极氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成多晶硅栅的方法，其特征在于，包括：通过在衬底内形成器件绝缘区域将所述衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；在所述高压器件区域形成凹槽；在所述衬底上形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上沉淀多晶硅层；以及刻蚀去除所述多晶硅层的至少一部分，以使得所述多晶硅层对应于所述低压器件区域的部分的厚度不同于其对应于所述高压器件区域的部分的厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述多晶硅进行刻蚀之后，所述方法还包括：对所述高压器件区域和所述低压器件区域进行离子注入，其中，对所述高压器件区域进行离子注入的能量大于对所述低压器件区域进行离子注入的能量。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层对应于所述高压器件区域的部分的厚度大于其对应于所述低压器件区域的部分的厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层对应于所述高压器件区域的部分的厚度大于其对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯会丹，姚兰，石艳伟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：