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本揭露内容描述一种制作半导体元件的方法。此半导体元件的制作方法包含在鳍状结构上形成S/D区、在S/D区上形成包含金属的S/D触点结构、在S/D触点结构上形成包含硅及金属的阻挡层、及在阻挡层上形成通孔触点结构。阻挡层阻止在S/D触点结构中的金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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