半导体元件制造技术

本揭露描述一种半导体元件，具有扩散阻障层的半导体元件的形成方法包含在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成功函数堆叠、降低在功函数堆叠中的碳浓度、在功函数堆叠上形成阻障层以及在阻障层上形成金属层。阻障层阻挡杂质扩散至功函数堆叠、栅极介电层以及鳍片结构中。及鳍片结构中。及鳍片结构中。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本揭露是关于一种半导体元件。

技术介绍

[0002]随着半导体科技的进步，对于更高存储容量、更快处理系统、更高效能以及更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体产业持续缩小半导体元件的尺寸，半导体元件例如为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)，其包含平面MOSFETs与鳍式场效应晶体管(finFETs)。半导体科技的领先节点还需要使用严格的蚀刻化学品、薄膜以及新制程，新制程例如为切割金属栅极(CMG)制程。如此缩小的尺寸、严格的化学品以及新制程为半导体元件效能的改善带来了挑战。

技术实现思路

[0003]根据本揭露一些实施例，一种半导体元件包含鳍片结构、栅极介电层、功函数堆叠、阻障层以及金属层。鳍片结构位于基板上。栅极介电层位于鳍片结构上。功函数堆叠位于栅极介电层上。阻障层位于栅极介电层上。金属层位于阻障层上。在功函数堆叠中的碱性金属浓度小于在金属层中的碱性金属浓度。
附图说明
[0004]当结合随附诸图阅读时，得自以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍片结构，位于一基板上；一栅极介电层，位于该鳍片结构上；一功函数堆叠，位于该栅极介电层上；一阻障...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨万特，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：