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本揭露描述一种半导体元件，具有扩散阻障层的半导体元件的形成方法包含在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成功函数堆叠、降低在功函数堆叠中的碳浓度、在功函数堆叠上形成阻障层以及在阻障层上形成金属层。阻障层阻挡杂质扩散至功函数堆叠、栅极介...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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