半导体器件及其形成方法技术

公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD(VD)结构，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第一导电部、通孔到通孔轨与第一MD接触结构电耦合，其中，第二或第三MD接触结构中的至少一个与通孔到通孔轨电去耦。到通孔轨电去耦。到通孔轨电去耦。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(“IC”)包括一个或多个半导体器件。表示半导体器件的 一种方式是借助于称为布局图的平面图。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：有源 区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上 延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔(V2V)轨，在垂直于第一方向 的第二方向上延伸，V2V轨与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一 导电部，与V2V轨重叠，第一导电部处于第一金属化层中，并相对于第二 方向与第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD (VD)结构，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第 一导电部、V2V轨与第一MD接触结构电耦合，并且 其中，第二或第三MD接触结构中的至少一个与V2V轨电去耦。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第 一和第二有源区，在第一方向上延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与所述有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述通孔到通孔轨与所述第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与所述通孔到通孔轨重叠，所述第一导电部处于第一金属化层中，并相对于所述第二方向与所述第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD(VD)结构，在所述第一MD接触结构与所述第一导电部之间，所述第一VD结构将所述第一导电部、所述通孔到通孔轨与所述第一MD接触结构电耦合，并且其中，所述第二或第三MD接触结构中的至少一个与所述通孔到通孔轨电去耦。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向，所述第二MD接触结构与所述通孔到通孔轨重叠；并且所述半导体器件还包括：介电材料，相对于垂直于所述第一和第二方向中的每个的第三方向，在所述通孔到通孔轨与所述第二MD接触结构之间，所述介电材料将所述通孔到通孔轨与所述第二MD接触结构电隔离。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向，所述第一导电部在所述通孔到通孔轨上方居中。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向，所述通孔到通孔轨和所述第一导电部中的每个在所述有源区上方居中。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：相对于所述第一方向，所述通孔到通孔轨和所述第一导电部中的每个不与所述有源区重叠。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述有源区是第一有源区；所述通孔到通孔轨是第一通孔到通孔轨；并且所述半导体器件还包括：第四、第五和第六MD接触结构，在所述第一方向上延伸并对应地与所述有源区重叠；第二通孔到通孔轨，在所述第二方向上延伸并与所述第一和第二MD接触结构重叠；和第二导电部，在所述第一金属化层中并与所述第二通孔到通孔轨重叠；以及第三VD结构，在所述第四MD接触结构与所述第二导电部之间，所述第三VD结构将所述第二导电部、所述第二通孔到通孔轨与所述第四MD接触结构电耦合；以及第四VD结构，在所述第六MD接触结构与所述第二导电部之间，所述第四VD结构将所述第二导电部、所述第二通孔到通孔轨与所述第六MD接触结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨荣展，卢麒友，庄惠中，陈志良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：