半导体器件及其形成方法技术

技术编号:31162542 阅读:33 留言:0更新日期:2021-12-04 10:32
在一个实施例中,半导体器件包括:第一鳍部,从衬底延伸;第二鳍部,从衬底延伸;栅极间隔件,位于第一鳍部和第二鳍部上方;栅极电介质,具有第一部分、第二部分、和第三部分,第一部分沿着第一鳍部的第一侧壁延伸,第二部分沿着第二鳍部的第二侧壁延伸,第三部分沿着栅极间隔件的第三侧壁延伸,第三部分和第一部分形成第一锐角,第三部分和第二部分形成第二锐角;以及栅电极,位于栅极电介质上。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。施例还涉及形成半导体器件的方法。施例还涉及形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件使用于各种电子应用中,诸如例如个人计算机、手机、数码相机、和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式制造:在半导体衬底上方顺序地沉积材料的绝缘或者介电层、导电层、和半导体层,并且使用光刻来图案化各种材料层,以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来持续提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度,这允许将更多的组件集成至给定区域中。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件,包括:第一鳍部,从衬底延伸;第二鳍部,从所述衬底延伸;栅极间隔件,位于所述第一鳍部和所述第二鳍部上方;栅极电介质,具有第一部分、第二部分、和第三部分,所述第一部分沿着所述第一鳍部的第一侧壁延伸,所述第二部分沿着所述第二鳍部的第二侧壁延伸,所述第三部分沿着所述栅极间隔件的第三侧壁延伸,所述第三部分和所述第一部分形成第一锐角,所述第三部分和所述第二部分形成第二锐角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:第一鳍部,从衬底延伸;第二鳍部,从所述衬底延伸;栅极间隔件,位于所述第一鳍部和所述第二鳍部上方;栅极电介质,具有第一部分、第二部分、和第三部分,所述第一部分沿着所述第一鳍部的第一侧壁延伸,所述第二部分沿着所述第二鳍部的第二侧壁延伸,所述第三部分沿着所述栅极间隔件的第三侧壁延伸,所述第三部分和所述第一部分形成第一锐角,所述第三部分和所述第二部分形成第二锐角;以及栅电极,位于所述栅极电介质上。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一鳍部和所述第二鳍部沿着第一方向延伸,所述栅极间隔件沿着第二方向延伸,所述栅极电介质的所述第一部分和所述第二部分沿着所述第一方向是直的,所述栅极电介质的所述第三部分沿着所述第二方向是弯曲的。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述栅极电介质具有第四部分和第五部分,所述第四部分沿着所述栅极间隔件的所述第三侧壁延伸,所述第五部分沿着所述第一鳍部的第五侧壁延伸,所述第五侧壁与所述第一侧壁相对,所述第四部分和所述第五部分形成第三锐角,所述第三锐角大于所述第一锐角和所述第二锐角。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一锐角和所述第二锐角在45度至85度的范围内,并且所述第三锐角在65度至85度的范围内。5.根据权利要求3所述的半导体器件,还包括:第三鳍部,从所述衬底延伸,其中,所述栅极间隔件的第一部分设置在所述第一鳍部和所述第二鳍部之间,所述栅极间隔件的第二部分设置在所述第一鳍部和所述第三鳍部之间,所述栅极间隔件的所述第一部分向内弯曲第一距离,所述栅极间隔件的所述第二部分向内弯曲第二距离,所述第二距离小于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:沙哈吉
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1