半导体器件及其形成方法技术

示例性器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与栅极结构相邻，外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分，第一主体部分设置在第一鳍中，第一突出部分设置在第一鳍的第一侧壁上和隔离区域的顶面之下。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。导体器件及其形成方法。导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于所述第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分；所述第一主体部分设置在所述第一鳍中，所述第一突出部分设置在所述第一鳍的第一侧壁上和所述隔离区域的所述顶面之下。
[0005]本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：隔离区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在所述隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于所述第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分；所述第一主体部分设置在所述第一鳍中，所述第一突出部分设置在所述第一鳍的第一侧壁上和所述隔离区域的所述顶面之下。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域的所述第一主体部分的高度为所述第一鳍的总高度的30％至80％。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域的所述第一突出部分的高度为所述外延源极/漏极区域的总高度的10％至20％。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延源极/漏极区域包括：衬垫层，位于所述第一鳍上，所述衬垫层包括具有第一锗浓度和第一硼浓度的硼掺杂的硅锗；主体层，位于所述衬垫层上，所述主体层包括具有第二锗浓度和第二硼浓度的硼掺杂的硅锗；以及饰面层，位于所述主体层上，所述饰面层包括具有第三锗浓度和第三硼浓度的硼掺杂的硅锗，所述第三锗浓度小于所述第二锗浓度并且大于所述第一锗浓度，所述第三硼浓度小于所述第二硼浓度并且大于所述第一硼浓度。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层在所述隔离区域的所述顶面之下延伸，并且其中，所述主体层和所述饰面层设置在所述隔离区域的所述顶面上方。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层和所述主体层在所述隔离区域的所述顶面之下延伸，并且其中，所述饰面层设置在所述隔离区域的所述顶面上方。7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬垫层、所述主...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙哈吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：