【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC,其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加,而几何尺寸(即,可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]例如,随着IC技术向更小的技术节点发展,已经引入了多栅极器件,以通过增加栅极
‑
沟道耦接、减小截止状态电流以及减少短沟道效应(SCE)来改善栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的不止一侧的栅极结构或其部分的器件。全环栅(GAA)晶体管是多栅极器件的实例,这些器件已变成高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。GAA晶体管因其栅极结构而得名,该栅极结构可以在沟道区域周围延伸,从而可以从四个侧上对堆叠的半导 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:第一沟道层的堆叠件;第一源极/漏极(S/D)外延部件和第二源极/漏极外延部件,分别与所述第一沟道层的至少部分的相对侧相邻,其中,所述第一源极/漏极外延部件和所述第二源极/漏极外延部件具有第一导电类型;第二沟道层的堆叠件,堆叠在所述第一沟道层上方;以及第三源极/漏极(S/D)外延部件和第四源极/漏极外延部件,分别与所述第二沟道层的至少部分的相对侧相邻,其中,所述第三源极/漏极外延部件和所述第四源极/漏极外延部件具有第二导电类型,其中,所述第一沟道层的总有源沟道层数量与所述第二沟道层的总有源沟道层数量不同。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一沟道层和所述第二沟道层的所述总有源沟道层数量的差值等于或大于二。3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:介电隔离层,将所述第一源极/漏极外延部件、所述第二源极/漏极外延部件、所述第三源极/漏极外延部件和所述第四源极/漏极外延部件中的至少一个与所述第一沟道层和所述第二沟道层中邻接的一个隔离。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述介电隔离层设置在所述第一沟道层和所述第二沟道层之间,其中,所述介电隔离层将所述第三源极/漏极外延部件和所述第四源极/漏极外延部件与邻接的所述第二沟道层的最底部沟道层隔离。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述介电隔离层设置在所述第一沟道层的最顶部沟道层下方,其中,所述介电隔离层将所述第一源极/漏极外延部件和所述第二源极/漏极外延部件与邻接的所述第一沟道层的最底部沟道层隔离。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一源极/漏极外延部件和所述第二源极/漏极外延部件中的至少一个具有位于所述第一沟道层...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟政庭,陈豪育,程冠伦,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。