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根据本发明的半导体器件包括第一沟道层的堆叠件以及分别与第一沟道层的至少部分的相对侧相邻的第一源极/漏极(S/D)外延部件和第二源极/漏极外延部件。第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件具有第一导电类型。半导体器件也包括堆叠在第一沟道...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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