半导体装置结构和其形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置结构和其形成方法，半导体装置结构包括半导体鳍片，半导体鳍片包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、连接第一表面与第二表面的第三表面及与第三表面相对的第四表面。半导体装置结构包括邻近半导体鳍片的第一表面、第三表面及第四表面设置的栅极电极层、接触半导体鳍片的第一源极/漏极磊晶特征及设置在第一源极/漏极磊晶特征与栅极电极层之间的第一内部间隔物。第一内部间隔物接触第一源极/漏极磊晶特征，且第一内部间隔物包括第一材料。半导体装置结构包括接触第一内部间隔物的第一间隔物，且第一间隔物包括不同于第一材料的第二材料。第一材料的第二材料。第一材料的第二材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构和其形成方法


[0001]本公开是关于半导体装置结构和其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经经历了指数级增长。IC材料及设计的技术进步已经生产了数代IC，其中每一代都具有比上一代更小及更复杂的电路。在IC进化的过程中，几何尺寸(亦即，使用制造制程可制造的最小元件(或线路))减小的同时，功能密度(亦即，单位晶片面积的互连元件的数目)普遍增加。这种按比例缩小制程大体通过提高生产效率及降低关联成本而提供益处。这种按比例缩小亦增加处理及制造IC的复杂性。
[0003]因此，需要改善处理及制造IC。

技术实现思路

[0004]根据本公开的实施例，提供一种包括半导体鳍片的半导体装置结构，半导体鳍片包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、连接第一表面与第二表面的第三表面，及与第三表面相对的第四表面。半导体装置结构包括邻近于半导体鳍片的第一表面、第三表面及第四表面设置的栅极电极层、接触半导体鳍片的第一源极/漏极磊晶特征，及设置在第一源极/漏极磊晶特征与栅极电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一半导体鳍片，包括一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的一第三表面，及与该第三表面相对的一第四表面；一栅极电极层，邻近该半导体鳍片的该第一表面、该第三表面及该第四表面设置；一第一源极/漏极磊晶特征，接触该半导体鳍片；一第一内部间隔物，设置在该第一源极/漏极磊晶特征与该栅极电极层之间，其中该第一内部间隔物接触该第一源极/漏极磊晶特征，及其中该第一内部间隔物包括一第一材料；以及一第一间隔物，接触该第一内部间隔物，其中该第一间隔物包括不同于该第一材料的一第二材料。2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括：一介电材料，接触该半导体鳍片的该第二表面；一硅化物层，接触该第一源极/漏极磊晶特征；以及一导电特征，接触该硅化物层，其中该导电特征与该介电材料相邻。3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括一衬垫设置在该介电材料与该导电特征之间，其中该衬垫接触该介电材料及该导电特征。4.如权利要求3所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括一第二源极/漏极磊晶特征接触该半导体鳍片。5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一源极/漏极磊晶特征具有一第一形状，且该第二源极/漏极磊晶特征具有不同于该第一形状的一第二形状。6.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一第一半导体鳍片，包括一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的一第三表面，及与该第三表面相对的一第四表面；一第一栅极电极层，邻近该第一半导体鳍片的该第一表面、该第三表面及该第四表面设置；一第二半导体鳍片，包括一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的一第三表面，及与该第三表面相对的一第四表面；一第二栅极电极层，邻近该第二半导体鳍片的该第一表面、该第三表面及该第四表面设置；一介电特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘冠廷，江国诚，朱熙甯，詹易叡，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：