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在一个实施例中，半导体器件包括：第一鳍部，从衬底延伸；第二鳍部，从衬底延伸；栅极间隔件，位于第一鳍部和第二鳍部上方；栅极电介质，具有第一部分、第二部分、和第三部分，第一部分沿着第一鳍部的第一侧壁延伸，第二部分沿着第二鳍部的第二侧壁延伸，第三...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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