存储器装置、存储器装置结构及其形成方法制造方法及图纸

本公开实施例是有关于一种存储器装置、一种存储器装置结构及其形成方法。一种磁性隧道结(MTJ)存储器单元，包括连接通孔结构、设置在连接通孔结构上的底部电极、设置在底部电极上的存储器材料堆叠以及设置在存储器材料堆叠上的导电接触结构，其中导电接触结构的底表面与存储器材料堆叠的存储器材料层直接接触。与存储器材料堆叠的存储器材料层直接接触。与存储器材料堆叠的存储器材料层直接接触。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置、存储器装置结构及其形成方法


[0001]本公开实施例是有关于一种存储器装置、一种存储器装置结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]磁阻随机存取存储器(magnetoresistive random
‑
access memory，MRAM)是非易失性随机存取存储器(non
‑
volatile random access memory，NV RAM)的一种类型，其在磁畴(magnetic domain)中存储数据。这些元件由通过薄绝缘层分隔开的两个铁磁板形成，所述铁磁板中的每一者可保持磁化。所述两个铁磁板之一是被设定为特定极性的永磁体；另一板的磁化可改变以与外部场的磁化相匹配来存储记忆内容。如果绝缘层足够薄(通常几个纳米)，则电子可从一个铁磁体隧穿到另一铁磁体中。此种配置被称为磁性隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)且是MRAM位(MTJ bit)的最简单结构。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种存储器装置包括连接通孔结构、底部电极存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：连接通孔结构；底部电极，设置在所述连接通孔结构上；存储器材料堆叠，设置在所述底部电极上；以及导电接触结构，设置在所述存储器材料堆叠上，其中所述导电接触结构的底表面与所述存储器材料堆叠的存储器材料层直接接触，且其中所述导电接触结构的侧壁与刻蚀停止层的侧壁直接接触。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述导电接触结构由铜构成。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述导电接触结构的宽度从其顶表面朝向所述存储器材料堆叠连续且逐渐减小。4.一种存储器装置结构，包括：连接通孔结构；磁性隧道结存储器单元，包括：底部电极，设置在所述连接通孔结构上；存储器材料堆叠，设置在所述底部电极上；以及顶部电极，设置在所述存储器材料堆叠上；刻蚀停止层，设置在所述顶部电极上方，其中所述刻蚀停止层的侧壁环绕设置在所述存储器材料堆叠上的导电接触结构；以及介电层，设置在所述顶部电极上方，其中所述介电层的侧壁环绕设置在所述存储器材料堆叠上的所述导电接触结构，其中所述刻蚀停止层的所述侧壁及所述介电层的所述侧壁是共面的，且朝向所述顶部电极向内成角度地呈锥形。5.根据权利要求4所述的存储器装置结构，其中：所述导电接触结构设置在所述顶部电极上，其中所述导电接触结构的底表面与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴翔，尹煜峰，林建宏，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：