一种半导体装置包括具有第一组电路部件的电路，其中电路是在基板的第一侧上的电路区域中，及基板的第一侧上方的第一组导电柱。在半导体装置中，第一导电轨条电连接至第一组导电柱中的每一者，其中第一组导电柱中的每一者通过第一导电轨条电连接至第一组电...

在一实施例中，一种三维记忆体装置制造的方法包括形成包含隔离材料及半导体材料的交替层的多层堆叠；将多层堆叠图案化以在多层堆叠的第一区域中形成第一通道结构，其中第一通道结构包含半导体材料；在第一通道结构上方沉积记忆体薄膜层；蚀刻贯穿多层堆叠...

本公开提供一种金属

本公开提供一种半导体结构，其包括用于增强金属

本公开涉及光刻系统和方法。一种光刻曝光系统包括：光源；衬底台；以及掩模台，沿着从光源到衬底台的光路，在光源和衬底台之间。该光刻曝光系统还包括沿着光路的反射器。该反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层具有第一材料和不同于第一厚...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：形成金属性特征；在金属性特征之上形成蚀刻停止层；用掺杂剂注入金属性特征；在蚀刻停止层之上形成电介质层；执行第一蚀刻工艺以蚀刻电介质层和蚀刻停止层，以形成第一开口；执行第二蚀刻工艺以蚀刻金属...

本公开涉及用于半导体器件的通孔及方法。一种结构包括：第一导电特征，在第一电介质层中；第二电介质层，在第一电介质层之上；以及第二导电特征，延伸穿过第二电介质层以实体接触第一导电特征，其中第二导电特征包括：金属粘附层，在第一导电特征之上并与...

一种具有最佳化胞元布置的装置布局。多个胞元排列在一区域中。每一胞元包括第一胞元区以及第二胞元区。所述第一胞元区在参考边缘处邻接所述第二胞元区。所述胞元被对齐成使得每一参考边缘与具有多个胞元的行的布置参考边缘水平地对齐。缘水平地对齐。缘水...

本发明的实施例涉及一种包括存储单元的集成电路。该集成电路包括半导体衬底和半导体衬底上方设置的互连结构。该互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个介电层和多个金属层。多个金属层包括下部金属层和下部金属层上方设置的上部金属层。在下部金属层上方...

一种管芯堆叠结构包括内连结构、逻辑管芯、控制管芯、第一绝缘包封体、虚设管芯、存储器立方体及第二绝缘包封体。逻辑管芯电连接到内连结构。逻辑管芯包括第一介电接合结构。控制管芯在侧向上与逻辑管芯隔开且电连接到内连结构。第一绝缘包封体在侧向上包...

本申请的实施例涉及包括FinFET的半导体器件，包括：第一FinFET，包括沿第一方向延伸的第一鳍结构和第一源/漏外延结构；第二FinFET，包括沿第一方向延伸的第二鳍结构和第二源/漏外延结构；第一介电层，分隔第一和第二源/漏外延结构；...

本揭露描述了对准标记的制作方法及半导体结构，用于在晶圆上制作对准标记的方法包含在晶圆的第一表面区中蚀刻凹槽。在晶圆的第二表面区中形成装置结构。在晶圆的第一表面上沉积介电层并填充凹槽。进行第一平坦化程序以平坦化介电层。在第一平坦化程序之后...

提供一种制造半导体器件的方法，包含：将聚合物混合物施加在衬底上方；曝光和显影聚合物混合物的至少一部分以形成显影的介电质；以及固化显影的介电质以形成介电层。聚合物混合物包含聚合物前体、光敏剂以及溶剂。聚合物前体可以是聚酰胺酸酯。体可以是聚...

提供芯片封装的结构及其形成方法。此方法包含：设置半导体晶粒于载体基板之上。此方法也包含设置中介层基板于此载体基板之上。此中介层基板具有凹槽，此凹槽穿过该中介层基板的相反面。此中介层基板具有围绕半导体晶粒的内部侧壁，并且此半导体晶粒等高于...

半导体器件包括：半导体纳米结构，设置在衬底上方；源极/漏极外延层，与半导体纳米结构接触；栅极介电层，设置在半导体纳米结构的每个沟道区域上并且包裹半导体纳米结构的每个沟道区域；栅电极层，设置在栅极介电层上并且包裹每个沟道区域；以及绝缘间隔...

一种存储器件包括：多个存储器单元；字线，连接到多个存储器单元中的一个，字线被配置为提供第一WL脉冲，第一WL脉冲具有限定第一WL脉冲的脉冲宽度的上升沿和下降沿；第一跟踪WL，形成为与存储器单元相邻，第一跟踪WL被配置为通过物理地或可操作...

公开了一种电路，包括相互交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，使得第一晶体管的源极和第二晶体管的源极均连接至电源，第一晶体管的栅极在第一节点处连接至第二晶体管的漏极，第二晶体管的栅极在第二节点处连接至第一晶体管的漏极。该电路可通过第二晶体管...

在一些实施例中，本申请的实施例公开了一种存储器件。该存储器件包括设置在衬底上方的底部电极和设置在底部电极上方的顶部电极。底部电极的上表面背向衬底。顶部电极的底表面面向衬底。数据存储层设置在底部电极和顶部电极之间。顶部电极的底表面的至少部...

一种设计半导体器件的方法包括：为多个单元中的每一单元的布局建立边界条件，其中每一单元具有多个特征，且边界条件是基于每一特征相对于对应单元的单元边界的邻近性而建立。所述方法包括基于用于制造所述半导体器件的层的掩模的数目、对所述多个特征的最...

根据本公开的一些实施例，集成电路芯片的电容器结构包括绝缘层、第一电极和第二电极。绝缘层包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽。第一电极设置在第一沟槽中。第二电极设置在第二沟槽中。第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋...