半导体结构及其形成方法技术

本公开提供一种半导体结构，其包括用于增强金属

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开实施例涉及一种半导体结构及其形成方法，其包括用于增强金属
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电介质粘附性并防止金属扩散的原位化学机械抛光自组装单层。

技术介绍

[0002]集成电路包括例如晶体管、电容器、电阻器及二极管等众多装置。最初彼此隔离的这些装置通过配线内连在一起，以形成功能电路。此种配线是通过多个金属化层及多个通孔完成的，所述多个金属化层包括提供横向电连接的金属线，所述多个通孔在两个相邻的经堆叠金属化层之间提供垂直电连接。金属线及通孔通常被称为内连结构。内连结构正日益决定先进集成电路的性能及密度的极限。

技术实现思路

[0003]本公开的一个方面涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括衬底及位于所述衬底上的第一介电层。接触结构嵌置在所述第一介电层中，包括导电线。所述半导体结构还包括位于所述导电线上的自组装单层以及位于所述第一介电层及所述导电线上的第二介电层。所述自组装单层化学接合到所述导电线及所述第二介电层。
[0004]本公开的另一方面涉及一种形成半导体结构的方法。所述方法包括在第一介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上，所述第一介电层包括嵌置在其中的接触结构，所述接触结构包括导电线；自组装单层，位于所述导电线上；以及第二介电层，位于所述第一介电层及所述导电线上，其中所述自组装单层化学接合到所述导电线及所述第二介电层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述自组装单层包括自组装分子，所述自组装分子各自在一端上具有能够粘结到所述导电线的第一基团且在另一端上具有能够粘结到所述第二介电层的第二基团。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述自组装分子由下式表示：X
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L
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Q其中：X是硫醇、胺、硒醇、异腈、羧酸、异羟肟酸、膦酸、吡啶、联吡啶或三联吡啶；Q是烷氧基硅烷、氯硅烷或三氯硅；且L是亚烷基。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中L是亚甲基、亚乙基或亚丙基。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中Q是三甲氧基硅烷。6.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述自组装分子包括硫醇基三甲氧基硅烷、(3
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氨丙基)三甲氧基硅烷或3
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巯基丙酸。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述自组装单层具有介于约1nm至约6nm范围内的厚度。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接触结构还包括环绕所述导电线的扩散阻障，所述扩散阻障接触所述第一介电层。9.一种形成半导体结构的方法，包括：在第一介电层中形成接触结构，所述接触结构包括扩散阻障及被所述扩散阻障环绕的导电线；在所述导电线上形成自组装单层，其中所述自组装单层包括具有下式的自组装分子：X
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【专利技术属性】
技术研发人员：官振禹，匡训冲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：