位线引出结构及其制备方法技术

本申请涉及一种位线引出结构及其制备方法，在衬底上形成沿Y轴方向延伸的位线；形成沿X轴方向覆盖位线的接触孔，X轴方向和Y轴方向垂直；形成覆盖接触孔的金属线，接触孔位于位线和金属线之间并分别与位线和金属线接触；其中，接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与位线的接触面积。上述位线引出结构，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与位线的接触面积，可以减小位线引出结构的接触电阻。可以减小位线引出结构的接触电阻。可以减小位线引出结构的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
位线引出结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种位线引出结构和位线引出结构的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器是利用晶体管阵列控制存储电容的充放电而实现数据的存取。其中，晶体管的漏区与位线电连接，在衬底上形成位线后，需要在位线上方形成位线引出结构，通过位线引出结构实现位线与外部控制电路的电连接。
[0003]然而，随着半导体器件集成度的不断提高，位线尺寸以及位线之间的间距的不断缩小，位线引出结构的面积也会相应减小，使得位线引出结构与相应位线之间的接触电阻变大，导致流经位线的电流过小，从而降低了半导体存储器的感应裕度和存储电容的充放电速度。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请针对上述接触电阻较大而降低半导体存储器的感应裕度和存储电容的充放电速度的技术问题，提出一种位线引出结构和位线引出结构的制备方法。
[0005]一种位线引出结构，包括：
[0006]位线,沿Y轴方向延伸；
[0007]接触孔，沿X轴方向覆盖所述位线，所述X轴方向和所述Y轴方向垂直；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种位线引出结构，其特征在于，包括：位线,沿Y轴方向延伸；接触孔，沿X轴方向覆盖所述位线，所述X轴方向和所述Y轴方向垂直；金属线，覆盖所述接触孔，所述接触孔位于所述位线和所述金属线之间并分别与所述位线和所述金属线接触；其中，所述接触孔与所述金属线的接触面积大于所述接触孔与所述位线的接触面积。2.根据权利要求1所述的位线引出结构，其特征在于，所述接触孔的横截面为T型结构。3.根据权利要求2所述的位线引出结构，其特征在于，所述位线引出结构包括2*N条所述位线、2*N个所述接触孔和2*N条所述金属线，各所述位线沿所述X轴方向并列分布，各所述金属线沿所述Y轴方向延伸；其中，N为正整数，2*N条所述位线、2*N个所述接触孔、2*N条所述金属线均一一对应。4.根据权利要求3所述的位线引出结构，其特征在于，各所述位线在X轴方向上对齐排列。5.根据权利要求3所述的位线引出结构，其特征在于，N条所述金属线和N个所述接触孔位于所述位线的沿所述Y轴方向的一侧，另外N条所述金属线和另外N个接触孔位于所述位线的沿所述Y轴方向的另一侧；其中，位于同一侧的金属线沿所述X轴方向并列分布。6.根据权利要求5所述的位线引出结构，其特征在于，位于所述位线的其中一侧的所述接触孔覆盖第奇数条所述位线，位于所述位线的另一侧的所述接触孔覆盖第偶数条所述位线。7.根据权利要求1所述的位线引出结构，其特征在于，所述接触孔与所述金属线具有不同的导电率。8.一种位线引出结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一介质层，所述第一介质层开设有沿Y轴方向延伸的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成沿Y轴方向延伸的位线，所述位线的顶面低...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：