金属-绝缘体-金属电容器、集成半导体装置及制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种金属

【技术实现步骤摘要】
金属
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绝缘体
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金属电容器、集成半导体装置及制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于一种金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器、一种具有金属
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绝缘体
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金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。

技术介绍

[0002]一般来说，电容器包含在介电质或其它介电层的相对侧上的两个导电电极，且可基于形成电容器所使用的材料而分类。举例来说，在金属
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绝缘体
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金属(metal
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insulator
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metal；MIM)电容器中，顾名思义，电极实质上包括金属材料(metallic material)且绝缘体可能包括介电层。MIM电容器的优势在于其在施加于其上的相对宽范围的电压内具有相对恒定的电容值。MIM电容器也展示相对较小的寄生电阻(parasitic resistance)。
[0003]在集成电路设计中，芯片上电容器(on
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chip 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属
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绝缘体
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金属电容器，包括：第一金属层；第二金属层；以及介电层，位于所述第二金属层与所述第一金属层之间，其中所述第一金属层、所述第二金属层以及所述介电层被形成为梳状结构，其中所述梳状结构包括：具有第一长度的第一齿结构；以及至少一个具有第二长度的第二齿结构，其中所述第一长度比所述第二长度长。2.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，更包括第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层，其中所述第二刻蚀停止层位于比所述第一刻蚀停止层距衬底更远距离处，并且所述梳状结构的所述第一齿结构延伸到所述第一刻蚀停止层且所述梳状结构的所述至少一个第二齿结构延伸到所述第二刻蚀停止层。3.根据权利要求2所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中所述第二刻蚀停止层包括直接位于所述第一刻蚀停止层上的次要刻蚀停止层，且所述至少一个第二齿结构延伸到所述次要刻蚀停止层中。4.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中所述第一齿结构包含阶梯式形貌。5.一种集成半导体装置，包括：第一区域，包括多个金属
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绝缘体
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金属电容器，所述多个金属
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绝缘体
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金属电容器包括：第一金属层；第二金属层；以及介电层，位于所述第二金属层与所述第一金属层之间，其中所述第一金属层、所述第二金属层以及所述介电层被形成为梳状结构，其中所述梳状结构包括第一齿结构和至少一个第二齿结构；以及第二区域，包括多个逻辑电路。6.根据权利要求5所述的集成半导体装置，其中所述集成半导体装置为互补金属氧化物半导体图像传感器全局快门。7.一种制造金属
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绝缘体
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨哲维，曹淳凯，陈升照，李升展，蔡正原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：