半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，结构包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧衬底表面的第一电互连结构；位于所述栅极结构顶部表面的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述栅极结构电互连，所述第二电互连结构包括2层以上的第一电互连层。从而，改善了半导体结构的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF射频CMOS集成收发机的关键。而可变电容作为一种可以随施加电压变化而发生不同的电容变化的基本器件在模拟集成电路设计中得到了广泛的使用。
[0003]然而，半导体器件的性能仍然较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以提高半导体器件的性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧衬底表面的第一电互连结构；位于所述栅极结构顶部表面的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述栅极结构电互连，所述第二电互连结构包括2层以上的第一电互连层。
[0006]可选的，所述第一电互连层的线宽与所述栅极结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧衬底表面的第一电互连结构；位于所述栅极结构顶部表面的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述栅极结构电互连，所述第二电互连结构包括2层以上的第一电互连层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的线宽与所述栅极结构的宽度的比例范围为1.2:1至2:1。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的线宽范围包括20纳米至200纳米。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电互连结构顶部表面的第三电互连结构，所述第三电互连结构与所述第一电互连结构电互连，所述第三电互连结构包括2层以上的第二电互连层。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的线宽与所述第一电互连结构的宽度的比例范围为1.1:1至2.5:1。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的线宽范围包括22纳米至450纳米。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的材料包括金属材料。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的材料包括金属材料。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连结构还包括：位于相邻的所述第一电互连层之间的若干第一导电插塞。10.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电互连结构还包括：位于相邻的所述第二电互连层之间的若干第二导电插塞。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构与所述第二电互连结构之间的第三导电插塞。12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电互连结构与所述第三电互连结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：