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一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，结构包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧衬底表面的第一电互连结构；位于所述栅极结构顶部表面的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述栅极结构电互连，所述第二电互连结构包...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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