【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器
[0001]本专利技术涉及变压器领域，具体涉及一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器。
技术介绍
[0002]传统的变压器有两种形式，第一种最常见，由磁芯、线圈和骨架组成，有贴片和插件两种样式，该型变压器由于绕线工艺的复杂多变以及线径的影响，其工作带宽通常低于1MHz，且线圈的交流电阻较大，损耗大，变压器尺寸也大。第二种即为平面变压器，由磁芯、PCB板组成，不需要骨架，线圈直接通过PCB板制备，该型变压器绕线一致性很高，走线薄，线圈交流电阻较小，损耗低，最重要的优点是高频性能好，工作带宽可提升至2MHz。
[0003]平面变压器是一种具有高频、低造型、高度很小但工作频率很高等特点的变压器。由于平面磁芯的研发成功，实现了平面化的变压器的设计，并且平面变压器要求磁芯、绕组是平面结构，所以采用多层PCB绕组。在铁芯及线圈绕组部分，平面变压器采用小尺寸的E型、RM型或环型铁氧体磁芯，通常是由高频功率铁氧体材料制成，在高频下有较低的磁芯损耗；绕组采用多层印刷电路板迭绕而成，绕组或铜片迭在平面...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器，其特征在于，包括结构相同的原副边器件，所述器件包括GaN衬底，所述GaN衬底上为厚度在500nm
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3μm之间的GaN层，所述GaN层之上为厚度在10nm
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30nm之间的AlGaN层，所述GaN层和AlGaN层异质结中间填充有绝缘体；制作原副边器件的方法，包括如下步骤；步骤一：器件清洗先依次采用丙酮、酒精、去离子水各超声5分钟，去除部分油脂；再采用1号液APM超声10分钟，去除粒子、有机物和部分金属；然后用2号液HPM超声10分钟，去除氧化物并降低氧元素的残余量；然后再次依次采用丙酮、酒精、去离子水各超声5分钟；最后氮气吹干后立即在110℃热台上烘烤5分钟备用；步骤二：台面蚀刻先做光刻，然后RIE去残胶，再采用ICP刻蚀，刻蚀时间20秒，刻蚀厚度500nm～3μm；然后RIE去残胶，再用盐酸对表面进行处理1分钟，再氮气吹干后立刻在110℃热台上烘烤5分钟；步骤三：填充绝缘体在步骤二刻蚀的凹槽中填入绝缘体。步骤四；制作电极在器件上使用物理气相淀积蒸镀电极。步骤五：互联利用IN柱进行互联，采用微加工，在IN柱外侧用微加工附上一层绝缘体，然后再利用IN柱将原边、副边互联。2.根据权利要求1所述的一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器，其特征在于：所述绝缘体的填充厚度为100nm
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技术研发人员：雷建明，张文波，胡春花，
申请(专利权)人：南京工业职业技术大学，
类型：发明
国别省市：
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