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本发明公开一种宽禁带异质结构的矩阵式平面变压器，涉及变压器领域，器件包括GaN衬底，所述GaN衬底上为厚度在500nm
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该专利属于南京工业职业技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业职业技术大学授权不得商用。

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