对准标记的制作方法及半导体结构技术

本揭露描述了对准标记的制作方法及半导体结构，用于在晶圆上制作对准标记的方法包含在晶圆的第一表面区中蚀刻凹槽。在晶圆的第二表面区中形成装置结构。在晶圆的第一表面上沉积介电层并填充凹槽。进行第一平坦化程序以平坦化介电层。在第一平坦化程序之后，对晶圆的第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。

【技术实现步骤摘要】
对准标记的制作方法及半导体结构


[0001]本揭露的实施方式是关于对准标记的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)技术经历了快速发展，包含特征大小的持续最小化及封装密度的最大化。特征大小的最小化依赖于微影的改善及其印刷较小特征或关键尺寸(critical dimension，CD)的能力。这进一步与晶圆对准相关。在微影扫描仪中进行晶圆对准。扫描仪将基于对准结果曝光晶圆。为了减少叠对误差，亟需改善对准精确度及叠对量测精确度结果。
[0003]对准标记及对准对准标记的制程为半导体元件制造中制造晶圆及集成电路(integrated circuit，IC)晶片的关键态样。对准标记及对准对准标记的制程为关键的，此是因为晶片本身及用于制作晶片元件的装置是通过将导体及绝缘体的许多复杂层在基板(通常为硅)上一层一层地对准来制造的。而且，在称为晶圆的所得结构中，关键在于，每一层与前一层精确对准，以使得在其中形成的电路具有功能性及可靠性。
[0004]通常，一层相对于另一层的对准藉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对准标记的制作方法，其特征在于，该方法包含：在一晶圆的一第一表面的一第一区中形成一凹槽，该第一区指定用于一对准标记；在该晶圆的该第一表面的一第二区中形成一装置结构；在该晶圆的该第一表面上沉积一第一层，该第一层完全填充该凹槽；进行一第一平坦化程序以将该第一层去除至一第一位准；在该第一平坦化程序之后，用氧电浆处理该第一层；以及在用氧电浆处理该第一层之后，进行一第二平坦化程序以将该装置结构去除至一第二位准。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包含：在该第一平坦化程序之后，使用氧电浆处理与该凹槽相邻的该第一层的一表面。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一层为氧化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一层允许一激光穿过。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包含：在该凹槽中形成一隔离层，其中该第一层形成在该隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐煌仁，苏正熹，刘坤明，谢子逸，巫丰印，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：