光刻系统和方法技术方案

本公开涉及光刻系统和方法。一种光刻曝光系统包括：光源；衬底台；以及掩模台，沿着从光源到衬底台的光路，在光源和衬底台之间。该光刻曝光系统还包括沿着光路的反射器。该反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层具有第一材料和不同于第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于第一层和第二层之间，并具有不同于第一材料的第二材料。同于第一材料的第二材料。同于第一材料的第二材料。

【技术实现步骤摘要】
光刻系统和方法


[0001]本公开一般地涉及光刻系统和方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了加工和制造IC的复杂度。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种光刻曝光系统，包括：光源；衬底台；掩模台，沿着从所述光源到所述衬底台的光路在所述光源和所述衬底台之间；以及反射器，沿着所述光路，所述反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层，具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于所述第一层和所述第二层之间，并具有不同于所述第一材料的第二材料。
[0004]根据本公开的另一实施例，提供了一种光刻曝光系统，包括：在光源和衬底台之间的光路；第一反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻曝光系统，包括：光源；衬底台；掩模台，沿着从所述光源到所述衬底台的光路在所述光源和所述衬底台之间；以及反射器，沿着所述光路，所述反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层，具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于所述第一层和所述第二层之间，并具有不同于所述第一材料的第二材料。2.根据权利要求1所述的光刻曝光系统，其中，所述反射器还包括：第四层，具有不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。3.根据权利要求2所述的光刻曝光系统，其中，所述反射器还包括：第五层，具有不同于所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料的第四材料。4.根据权利要求3所述的光刻曝光系统，其中，所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料和所述第四材料各自是消光系数小于0.02的不同材料。5.根据权利要求3所述的光刻曝光系统，其中，所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料和所述第四材料各自是硅、钼、锶、铍或钌中的不同的一者。6.根据权利要求2所述的光刻曝光系统，其中：所述反射器还包括具有所述第一材料的第六层；并且所述第四层位于所述第二层和所述第六层之间。7.根据权利要求1所述的光刻曝光系统，还包括：照明器，包括至少两个第一反射器，并且沿着所述光路位于所述光源和所述掩模台之间；以及投影光学盒，包括至少两个第二反射器，并且沿着所述光路位于所述掩模台和所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泳福，郑文豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：