专利查询
首页
专利评估
登录
注册
台湾积体电路制造股份有限公司专利技术
台湾积体电路制造股份有限公司共有17109项专利
半导体装置制造方法及图纸
本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括多个半导体层位于基板上,其中半导体层彼此分开并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠;栅极结构,包覆每一半导体层;间隔物结构,包覆每一半导体层的边缘部分;以及虚置鳍状结构,接触栅极结构的...
半导体器件以及制造集成电路的方法技术
一种半导体器件包含至少一个存储器单元和至少一个逻辑单元。该至少一个逻辑单元紧邻至少一个存储器单元设置且包含多个鳍。该多个鳍分为用于形成晶体管的多个鳍组。多个鳍组的两个相邻组之间的距离不同于多个鳍组的另两个相邻组之间的距离。本发明还公开了...
集成电路及其形成方法技术
公开了集成电路。该集成电路包含导电轨、信号轨、至少一个第一通孔以及至少一个第一导电部。该至少一个第一通孔设置在第一导电层与第二导电层之间,并且将信号轨的第一信号轨耦合至导电轨的至少一个。该第一信号轨配置为将供应信号传输通过至少一个第一通...
存储器件、感测放大器及用于失配补偿的方法技术
本发明的实施例公开了一种存储器件,包括第一存储器单元、第二存储器单元和感测放大器。感测放大器包括第一支路和第二支路,并且被配置为在修调操作中分别将第一电压和第二电压输出至第一存储器单元和第二存储器单元。感测放大器的第一钳位器件包括第一钳...
图像传感器及其形成方法技术
本发明涉及具有由背侧深沟槽隔离(BDTI)结构包围的光电二极管的图像传感器,以及相关的形成方法。在一些实施例中,多个像素区域设置在图像感测管芯内,并且分别包括被配置为将辐射转换成电信号的光电二极管。光电二极管包括具有第一掺杂类型的光电二...
光刻胶喷嘴器件和光刻胶供应系统技术方案
本发明提供了包括光刻胶喷嘴器件的光刻胶供应系统的实施例。该光刻胶喷嘴器件包括管,该管包括第一部分、连接至第一部分的曲线部分和连接至曲线部分的第二部分。光刻胶喷嘴器件还包括连接至第二部分的喷嘴。本发明还提供了光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统...
半导体结构及其形成方法技术
可以在衬底上方形成平坦绝缘间隔件层,并且可以在平坦绝缘间隔件层上方形成半导体材料层、薄膜晶体管(TFT)栅极介电层和栅电极的组合。在它们之上形成介电基质层。可以穿过半导体材料层的端部上方的介电基质层形成源极侧通孔腔和漏极侧通孔腔。通过改...
用于微影图案化的多层结构及半导体装置的形成方法制造方法及图纸
本揭露提供了一种用于微影图案化的多层结构及半导体装置的形成方法。多层结构包含基板、基板上方的底部抗反射涂层(BARC)层及BARC层上方的光阻层。BARC层包含聚合物及水解促进剂。光阻层包含通过包括可水解配位基的前体有机金属化合物的部分...
半导体器件及其制造方法技术
公开了具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。方法包括:在第一鳍结构和第二鳍结构上形成第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域;形成具有第一厚度的第一氧化物层和具有第二厚度的第二氧化物层;在第一氧化物层和第二氧化物层上形成具有第...
半导体器件及方法技术
本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善接触插塞和相邻的介质层层之间的密封的方法及其形成的半导体器件。在一个实施例中,一种半导体器件包括:第一电介质层,位于导电特征之上,该第一电介质层的第一部分包括第一掺杂剂;金属特征,电耦合到导电特...
半导体封装体及其制造方法技术
本发明实施例提供一种半导体封装体及其制造方法。一种半导体封装体包括衬底、半导体管芯、环形结构和盖。所述半导体管芯设置在所述衬底上。所述环形结构设置在所述衬底上并围绕所述半导体管芯,其中所述半导体管芯的第一侧与所述环形结构的内侧壁相隔第一...
用于金属栅极填料的化学镀方法技术
本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中,实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。积。积。
中段互连结构及制造方法技术
本申请涉及中段互连结构及制造方法。在一些实施例中,本公开涉及一种集成电路器件。晶体管结构设置在衬底之上,并且包括一对源极/漏极区域以及在该对源极/漏极区域之间的栅极电极。下部层间电介质(ILD)层设置在该对源极/漏极区域之上并且围绕栅极...
半导体器件及其形成方法技术
在一些形成半导体器件的方法中,在衬底的选定区中蚀刻第一凹槽。在该第一凹槽的侧壁和底面上形成第一聚合物衬垫。从该底面除去第一聚合物衬垫的一部分,并沿该侧壁保留第一聚合物衬垫的剩余部分。加深该第一凹槽以建立第二凹槽,同时沿侧壁保留该第一聚合...
光学结构、半导体结构及形成光学结构的方法技术
一种光学结构、半导体结构以及形成光学结构的方法,光学结构可通过如下步骤来提供:在介电材料层之上形成硅光栅结构;在硅光栅结构之上沉积至少一个介电材料层;以及在至少一个介电材料层之上沉积至少一个介电蚀刻停止层。至少一个介电蚀刻停止层包括选自...
像素阵列与像素感测器的制造方法技术
一种像素阵列与像素感测器的制造方法,像素阵列包含八边形像素感测器及可见光像素感测器(例如,红色、绿色、及蓝色像素感测器)及近红外线(NIR)像素感测器的组合。可结合通过可见光像素感测器所获得的颜色信息及由近红外线光像素感测器所获得的亮度...
像素阵列及其形成方法技术
一种像素阵列及其形成方法,像素阵列可包含位于像素感测器的光电二极管下方的气隙反射结构,以反射光子,否则光子将部分折射或散射通过光电二极管的底表面。气隙反射结构可将光子向上朝着光电二极管反射,使得光子可被光电二极管吸收。此举可能增加由光电...
在腔室中的基板上形成磊晶层的方法技术
本揭露描述一种在腔室中的基板上形成磊晶层的方法。此方法包含使用第一蚀刻气体清洁腔室与沉积磊晶层于基板上。磊晶层的沉积包含使用前驱物磊晶成长此磊晶层的第一部分、使用不同于第一蚀刻气体的第二蚀刻气体的冲洗来清洁基板与腔室、以及使用此前驱物磊...
像素阵列及其形成方法技术
一种像素阵列及其形成方法,像素阵列包含八边形像素感测器及正方形像素感测器。八边形像素感测器可与正方形像素感测器穿插在像素阵列中,以增加像素阵列中的空间利用且允许像素阵列中的像素感测器不同地设定大小。此外,像素阵列可包含以下的组合:红色、...
气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法技术方案
一种气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法,气体幕帘元件包含一导管衬套和一导管接头。导管衬套包含通过导管衬套的一螺旋形通风口。导管接头围绕导管衬套的一部分,导管接头包含与导管衬套的螺旋形通风口呈流体连通的多个气体进入端口。用于...
首页
<<
265
266
267
268
269
270
271
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
奥普特朗技术有限公司
3
电化株式会社
1051
莱孚滴生物股份有限公司
1
北京小米移动软件有限公司
34944
精励微机电技术公司
2
同济大学
28613
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428