本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极/漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道...

一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上形成包含旋涂碳合成物的旋涂碳层。首先在第一温度下加热该旋涂碳层，以部分交联该旋涂碳层。在第二温度下对旋涂碳层进行第二加热，以进一步交联该旋涂碳层。在旋涂碳上层上形成一层覆盖层。第二温度高于第一温...

本发明实施例提供了半导体结构的实施例，半导体结构包括形成在半导体衬底上的互连结构和设置在互连结构中的电容器。互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在顶部和底部电极之间的介电材料层和嵌入介电材料层中的纳米晶体层。本发明实施例涉及半导体结构及其...

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；形成在衬底的第一部分上方的第一晶体管，其中第一晶体管包括包含N个纳米片的第一纳米片堆叠；和位于衬底的第二部分上方的第二晶体管，其中第二晶体管包括包含M个纳米片的第二纳米片堆叠，其...

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹槽。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括：在S/D凹槽中沉积绝缘介电层；在...

本公开提供双极接面晶体管(bipolar junction transistor；BJT)结构的实施例。根据本公开的BJT包含第一外延特征、第二外延特征、垂直(vertical)堆叠的通道构件、栅极结构、第一电极、射极电极、以及第二电极...

公开半导体装置的形成方法。例示性的半导体装置包括第一半导体堆叠与第二半导体堆叠于基板上，其中第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的每一者包括向上堆叠且彼此分开的半导体层、位于第一半导体堆叠与第二半导体堆叠之间的虚置间隔物，其中虚置间隔物接触第...

本发明提供半导体装置的形成方法。本发明的方法包括接收含有半导体层的堆叠的工件；沉积第一垫氧化物层于堆叠的含锗顶层上；沉积第二垫氧化物层于第一垫氧化物层上；沉积垫氮化物层于第二垫氧化物层上；以及采用第一垫氧化物层、第二垫氧化物层、与垫氮化...

半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿着第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层，且其中每一第...

提供一种半导体结构及其制造方法。在一实施例中，半导体结构包括：一源极特征部件及一漏极特征部件、设置于源极特征部件与漏极特征部件之间的一通道结构、设置于通道结构及漏极特征部件上的一半导体层、设置于半导体层上的一介电层、设置于源极特征部件上...

集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延...

提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，从嵌入在密封剂内的半导体管芯去除粘合剂，并且利用界面材料从半导体器件去除热量。粘合剂的去除留下邻接半导体的侧壁的凹进，并且填充凹进。且填充凹进。且填充凹进。

一种可熔结构，包括金属线，该金属线所具有的不同部分具有不同的厚度。金属线的较薄部分设计成在较低电压下破坏性地改变，而金属线的较厚部分设计成在较高电压下破坏性地改变。另外，一个或者多个伪结构设置成接近于金属线的较薄部分。在一些实施例中，伪...

集成电路包括第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域以及第一导线、第二导线和第三导线。第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域在第一方向上延伸，并且位于衬底的前侧的第一层级上。第二有源区域位于第一有源区域与第三有源区域之间。第一导线与第...

使用具有高收缩率的无填充物绝缘材料制成再分布结构。因此，可以实现良好的平面性而不需要实施再分布结构的每个绝缘层的平坦化，从而简化再分布结构的形成。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。涉及半导体器件及其形成方法。涉及半导体器件及其...

一种半导体元件及其形成方法，该方法包括：在基板之上形成界面层；在界面层之上形成准反铁电层，其中形成准反铁电层包含执行原子层沉积(ALD)循环，且原子层沉积循环包括：执行第一子循环X次，其中第一子循环包含提供含Zr前驱物；执行第二子循环Y...

本公开涉及一种存储器电路。根据本公开的一方面，存储器电路包含：第一存储单元，具有第一电阻器；第二存储单元，具有第二电阻器；写入驱动器，配置成将第一电阻器设定为第一电阻值；第二写入驱动器，配置成将第二电阻器设定为第二电阻值；差分电流感测电...

在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连...

提供一种半导体装置。设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离...

提供一种半导体结构。半导体结构包含基板以及于基板上方具有至少一导孔的第一介电质层。第一介电质层包含具有第一厚度的第一部分以及具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。半导体结构进一步包含含有上覆于第一介电质层的第一部分的至少一第一导电线路以...