可熔结构及其制造方法技术

一种可熔结构，包括金属线，该金属线所具有的不同部分具有不同的厚度。金属线的较薄部分设计成在较低电压下破坏性地改变，而金属线的较厚部分设计成在较高电压下破坏性地改变。另外，一个或者多个伪结构设置成接近于金属线的较薄部分。在一些实施例中，伪结构放置成足够接近以使得在金属线破坏性地改变时能够防止金属溅射。本申请的实施例还提供一种可熔结构的制造方法。构的制造方法。构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
可熔结构及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及可熔结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业已经生产了各种各样的器件，来解决许多 不同领域中的问题。这些器件中的一些，诸如可熔结构，配置成用于多种 用途，包括存储数据。随着可熔结构变得越来越小、越来越复杂，这些器 件的性能已经成为业界关注的问题。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，一种可熔结构，包括：金属线，沿着第一方向延伸； 以及第一伪结构，设置成相对于第二方向接近于金属线，第二方向垂直于 第一方向；并且其中：相对于第一方向，金属线包括第一部分、第二部分、 和第三部分，第二部分位于第一部分和第三部分之间；相对于垂直于第一 方向和第二方向的第三方向，第一部分具有第一厚度，第二部分具有第二 厚度，第一厚度大于第二厚度；并且第一伪结构接近于金属线的第二部分。
[0004]在一些实施例中，一种可熔结构，包括：金属线，沿着第一方向延伸； 第一伪结构，设置成相对于第二方向与金属线相距第一距离，第二方向垂 直于第一方向；并且其中：相对于第一方向，金属线包括第一部分、第二 部分、和第三部分，第二部分位于第一部分和第三部分之间；相对于垂直 于第一方向和第二方向的第三方向，第一部分比第二部分更薄。
[0005]在一些实施例中，一种制造可熔结构的方法，该方法包括：形成沿着 第一方向延伸的金属线，形成金属线包括：配置掩模，使得金属线具有第 一部分，该第一部分位于第二部分和第三部分之间；使用光学接近度校正 技术和掩模，使得第一部分比第二部分和第三部分中的每一个都更薄；以 及形成接近于金属线并相对于第一方向与第一部分对准的第一伪结构。
附图说明
[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方 面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上， 为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0007]图1A是根据一些实施例的可熔结构的组件图；
[0008]图1B是示出根据一些实施例的沿着第一方向沿着金属线的中线截取 的金属线102的截面图的组件图；
[0009]图2是根据一些实施例的可熔结构的组件图；
[0010]图3A是根据一些实施例的可熔结构的组件图；
[0011]图3B是示出根据一些实施例的沿着第一方向沿着金属线的中线截取 的金属线的截面图的组件图；
[0012]图4A是根据一些实施例的可熔结构的组件图；
[0013]图4B是示出根据一些实施例的沿着第一方向沿着金属线的中线截取 的金属线的截面图的组件图；
[0014]图5是根据一些实施例的可熔结构的组件图；
[0015]图6是根据一些实施例的生成布局图的方法的流程图；
[0016]图7是根据一些实施例的形成金属线的方法的流程图；
[0017]图8A和图8B对应地是根据一些实施例的组件图和截面图；
[0018]图9A和图9B对应地是根据一些实施例的组件图和截面图；
[0019]图10是根据一些实施例的电子设计自动化(EDA)系统的框图；
[0020]图11是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统以及与其相关的IC 制造流程的框图。
具体实施方式
[0021]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或 实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅 是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者 上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并 且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得 第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。另外，本专利技术可以在各个 实例中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简化和清楚的目的，其本身 并不指示所讨论的各种实施例和/或结构之间的关系。
[0022]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、
ꢀ“
下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以容易地描述如图 所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图 中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。 装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空 间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0023]实施例包括可熔结构及其对应的制造方法。在一些实施例中，可熔结 构包括金属线，该金属线所具有的不同部分具有不同的厚度。相对于先前 已知的技术，金属线的较薄部分设计成在较低的电压下破坏性地改变，而 金属线的较厚的部分设计成在较高的电压下破坏性地改变。另外，一个或 者多个伪结构设置成接近于金属线的较薄部分。在一些实施例中，当金属 线破坏性地改变时，伪结构放置成足够接近以防止金属溅射。
[0024]图1A是根据一些实施例的可熔结构100的俯视图。
[0025]在一些实施例中，可熔结构100用作电熔丝(eFuse)。可熔结构100 包括金属线102，在一些实施例中，金属线102是导电材料(金属、多晶 硅等)的窄条(也称为“线”)。为了对可熔结构100进行编程，将编程 电流施加至金属线102，该电流破坏性地改变(即熔断)金属线102，从而 增加可熔结构100的电阻。在一些实施例中，对可熔结构100进行编程称 为燃烧可熔结构100。在一些实施例中，可熔结构100用作一次性可编程 存储器(OTP)。在一些实施例中，为了确定由可熔结构100所存储的位 状态，可以使感测电流通过金属线102传送。电连接至金属线102的感测 放大器(未示出)将金属线102上的电流与参考电流进行比较。感测电流 在大小上低于编程电流，因此不会破坏性地改变金属线102。编程电流在 大小上高于感测电流。于是，与编程电流相对应的编程电压在大小上高于 与感测电流相对应
的感测电压。
[0026]编程电压配置成生成足够的编程电流，从而破坏性地改变金属线102， 使得导致金属线102的破坏性改变。金属线102的破坏性改变会断开金属 线102，这会在金属线102中产生电的不连续性(或者开路)。当金属线 102破坏性地改变和断开时，金属线102配置成高电阻状态。在金属线102 的破坏性改变之前，如图1A所示，金属线102处于低电阻状态。如下面进 一步详细阐释的，图1A中所示的可熔结构100的构造有助于使用较低的编 程电压，以及因此较低的编程电流，来破坏性地改变金属线102，使得(再 次)导致金属线102处于高电阻状态。换句话说，编程电压扩展为较低的 电压，从而降低了金属线102不断开的可能性。增大编程电压范围的范围 以包括较低的电压是有益的，例如，因为现代半导体器件所使用的电压正 在减小。
[0027]在一些实施例中，熔丝结构100的高电阻状态或者低电阻状态用于表 示位值，并且因此数据以非易失本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可熔结构，包括：金属线，沿着第一方向延伸；以及第一伪结构，设置成相对于第二方向接近于所述金属线，所述第二方向垂直于所述第一方向；并且其中：相对于所述第一方向，所述金属线包括第一部分、第二部分、和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；相对于垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；并且所述第一伪结构接近于所述金属线的所述第二部分。2.根据权利要求1所述的可熔结构，其中：所述金属线的所述第二部分和所述第一伪结构具有基本相同的宽度。3.根据权利要求1所述的可熔结构，其中：所述第一伪结构和所述金属线之间的间隙的尺寸与所述金属线的所述第二厚度成比例。4.根据权利要求1所述的可熔结构，其中：所述金属线电连接至导体。5.根据权利要求1所述的可熔结构，其中：所述第一伪结构相对于所述第一方向与所述金属线的所述第二部分基本对准。6.根据权利要求5所述的可熔结构，还包括：第二伪结构；并且其中：所述第二伪结构相对于所述第二方向接近于所述金属线；所述第二伪结构相对于所述第一方向与所述第二部分基本对准；并且所述第二伪结构和所述第一伪结构相对于所述第一方向位于所述金属线的相对侧上。7.根据权利要求6所述的可熔结构，还包括：第三伪结构和第四伪结构；并且其中：相对于所述第一方向，所述金属线包括第四部分和第五部分；所述第三部分和所述第五部分相对于所述第三方向各自具有大约所述第一厚度；所述第四部分位于所述第三部分和所述第五部分之间；所述第四部分相对于所述第三方向具有大约所述第二厚度；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴绍鼎，张盟昇，周绍禹，黄中毅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：