形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件技术

集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形成集成电路(IC)器件的方法。成集成电路(IC)器件的方法。成集成电路(IC)器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
形成集成电路(IC)器件的方法和集成电路器件


[0001]本申请的实施例涉及形成集成电路(IC)器件的方法和集成电路器件。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS)器件在现代器件(例如，加速度计、陀螺仪、麦克风、智能扬声器、助听器、照相机器件)中变得越来越普遍。许多MEMS器件可以分类为传感器或致动器。一些MEMS传感器感测外部条件的存在(例如，加速度、声波、光、磁信号)，并且将该条件的存在传达为电信号(例如，电压、电流)。一些MEMS传感器(诸如加速度计或陀螺仪)可以使用梳结构，该结构利用静电原理以检测运动或压力的变化。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括：在第一晶圆上方形成介电层；在所述介电层上提供第二晶圆；在所述第二晶圆的与所述介电层相对的上表面中形成多个沟槽；沿所述多个沟槽的下部和侧壁形成介电衬垫，并且用导电材料填充所述多个沟槽的剩余部分，以建立一系列相互交叉的指状件，所述相互交叉的指状件的指状件长度通常在第一方向上彼此平行延伸；在所述第二晶圆的所述上表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括：在第一晶圆上方形成介电层；在所述介电层上提供第二晶圆；在所述第二晶圆的与所述介电层相对的上表面中形成多个沟槽；沿所述多个沟槽的下部和侧壁形成介电衬垫，并且用导电材料填充所述多个沟槽的剩余部分，以建立一系列相互交叉的指状件，所述相互交叉的指状件的指状件长度通常在第一方向上彼此平行延伸；在所述第二晶圆的所述上表面上方形成掩模，其中，所述掩模包括布置在相邻的指状件的外侧壁之间的一系列开口，并且其中，靠近指状件的基底的第一开口的第一面积大于靠近指状件的尖端的第二开口的第二面积；以及在所述掩模在适当位置的情况下实施蚀刻，以在所述相互交叉的指状件的所述侧壁之间以及所述相互交叉的指状件的底面和所述介电层的上表面之间形成腔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻在所述介电层的上表面上留下所述第一晶圆的材料作为一系列峰，其中，所述一系列峰中的峰位于所述指状件正下方。3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一组峰位于所述指状件正下方，所述第一组峰具有彼此不同的高度，并且其中，所述指状件的所述基底下面的第一峰的第一高度大于所述指状件的所述尖端下面的第二峰的第二高度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一组峰具有从所述指状件的所述基底下面的所述第一峰至所述指状件的所述尖端下面的所述第二峰的单调减小的高度。5.根据权利要求3所述的方法，其中，第二组峰位于相邻的指状件的基底正下方，并且通常布置在垂直于所述第一方向的第二方向上，其中，所述第二组峰的每个具有所述第一高度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料包括多晶硅，并且所述介电衬垫和介电层包括二氧化硅。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第三晶圆接合至所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亭蓉，曾李全，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：