一种半导体结构的制造方法技术

本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接近于90度，从而有利于空腔上方的功能层保持一致性。而且，晶圆的中间区域和边缘区域的空腔尺寸相对一致，进而有利于提高该晶圆的各个半导体结构的一致性。导体结构的一致性。导体结构的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体来说，涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]压电式麦克风的基本结构包含一层振动复合膜层和振动复合膜层下方的空腔组成。空腔的尺寸影响压电式麦克风的灵敏度和谐振频率。在实际工艺过程中，由于晶圆面内工艺均匀性存在差异，导致晶圆的中间区域和边缘区域处的空腔尺寸存在差异，严重影响晶圆的整体器件的均匀性，这导致后期对晶圆的器件的检测成本大大增加。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的问题，本申请提出一种半导体结构的制造方法，能够获得尺寸均匀的空腔，有利于提高晶圆的整体器件的均匀性。
[0004]本申请的技术方案是这样实现的：
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：
[0006]提供具有环形凹槽的衬底；
[0007]在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；
[0008]在所述阻挡层上方形成功能层；
[0009]蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述阻挡层的方法包括：热氧化所述衬底以形成所述阻挡层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，热氧化后形成阻挡层的材料包括氧化硅。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述氧化硅的厚度为0.1um至3um。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述阻挡层的步骤包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏永禄，刘端，
申请(专利权)人：安徽奥飞声学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：