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本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的...
该专利属于安徽奥飞声学科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽奥飞声学科技有限公司授权不得商用。

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