【技术实现步骤摘要】
一种胶液涂敷方法、控制设备及计算机可读存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种胶液涂敷方法、控制设备以及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]随着MEMS的应用发展,在高深宽比、愈发复杂的新型结构设计和加工过程中,光阻抗蚀剂即厚胶愈发得到广泛应用。例如SU8系列光阻抗蚀剂厚度可达0.5微米到上百个微米,且具有高深宽比,光刻后可以达到非常好的陡直度,具有可导电性、粘合性较好,图层应力降低等优点。
[0003]将现有技术中的敷涂方法应用于光阻抗蚀剂等一些自身黏度很大的胶液时,会存在成品厚度不均匀、基材边缘偏厚、局部涂覆空缺等技术问题。
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种胶液涂敷方法、控制设备以及计算机可读存储介质,可以保证成品的光阻抗蚀剂厚度均匀,避免基材边缘偏厚、局部涂覆空缺等技术问题。
[0005]实现本专利技术目的的技术方案为,一种胶液涂敷方法,包括:
[0006]按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种胶液涂敷方法,其特征在于,包括:按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶;控制所述基材以第一预设速度旋转,从而对所述基材表面的胶液进行匀胶,以得到设定厚度的胶层。2.如权利要求1所述的胶液涂敷方法,其特征在于,所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对基材进行涂胶,具体包括:控制所述基材以小于所述第一预设速度的第二预设速度旋转,以使所述胶液相对于所述基材的流动速度不超过300mm/s,同时按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材涂胶。3.如权利要求2所述的胶液涂敷方法,其特征在于,所述按照设定的螺旋线涂胶轨迹自中心至边缘对所述基材进行涂胶,具体还包括:控制所述胶液的流量和/或涂胶时间,以使所述胶液至少覆盖所述基材表面的70%。4.如权利要求中2或3所述的胶液涂敷方法,其特征在于,所述螺旋线涂胶轨迹的起点为所述基材的中心;所述涂胶时间小于或等于所述基材以第二预设速度旋转的时间。5.如权利要求1所述的胶液涂敷方法,其特征在于,所述控制所述基材以第一预设速度旋转的同时,所述胶液涂敷方法还包括:在所述基材的上方向所述基材的外周空间喷射溶剂,所述溶剂的喷射线与所述基材的边缘之间的距...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵利芳,杨云春,郭鹏飞,陆原,
申请(专利权)人:赛莱克斯微系统科技北京有限公司,
类型:发明
国别省市:
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