【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型电声元件制造和微电子器件等，尤其涉及一种mems双晶片结构及其制备方法，mems压电麦克风。
技术介绍
1、mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)麦克风是一种利用微机械加工技术制作出来的新型电声元件，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着智能电子设备的小巧化、轻薄化发展，mems麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
2、mems麦克风主要包括电容式和压电式两种。mems压电麦克风是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器，由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术，所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容麦克风还有不需要偏置电压、工作温度范围大、防尘、防水等优点，但其灵敏度比较低，制约着mems压电麦克风的发展。残余应力是制约着mems压电麦克风灵敏度提高的一个主要因素，在圆形压电mems双晶片结构中尤为显著。
3、图1为现有技术双晶片mems双晶片结构的剖面图。如图1所示，由于下电极层和中电极层均向上凸出，从而随后生长的两层压电...
【技术保护点】
1.一种MEMS双晶片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MEMS双晶片结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的MEMS双晶片结构，其特征在于，所述下电极层、中电极层、上电极层三者的水平面投影重合，均落入所述背腔的水平面投影之内。
4.根据权利要求1所述的MEMS双晶片结构，其特征在于，所述外环体包括：
5.根据权利要求4所述的MEMS双晶片结构，其特征在于，
6.一种MEMS双晶片结构制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至4中任一项所述的MEMS双晶片结构，该制备方法包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种mems双晶片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mems双晶片结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的mems双晶片结构，其特征在于，所述下电极层、中电极层、上电极层三者的水平面投影重合，均落入所述背腔的水平面投影之内。
4.根据权利要求1所述的mems双晶片结构，其特征在于，所述外环体包括：
5.根据权利要求4所述的mems双晶片结构，其特征在于，
6.一种me...
【专利技术属性】
技术研发人员：史佳鑫，刘端，
申请(专利权)人：安徽奥飞声学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。