半导体装置制造方法及图纸

半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿着第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层，且其中每一第一栅极部分的末端各自沿着该第二横向方向延伸并具有第一弧形轮廓。一弧形轮廓。一弧形轮廓。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置，更特别涉及制造非平面晶体管装置的方 法。

技术介绍

[0002]由于多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容器、或类似物)的集 成密度改善，半导体产业已经历快速成长。集成密度的改善主要来自于重复 缩小最小结构尺寸，以将更多构件整合至给定面积中。

技术实现思路

[0003]本专利技术一实施例公开的半导体装置包括多个半导体层，垂直地彼此分 开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿着 第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下 侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层，且其中每一第一栅 极部分的末端各自沿着第二横向方向延伸并具有第一弧形轮廓。
[0004]本专利技术另一实施例公开半导体装置，包括：多个半导体层，垂直地彼此 分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构，沿 着第二横向方向延伸。栅极结构包括多个第一栅极部分与多个第二栅极部 分。第一栅极部分分别横向对准半导体层。第二栅极部分各自垂直地位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：多个半导体层，垂直地彼此分开，其中每一所述半导体层沿着一第一横向方向延伸；以及一栅极结构，沿着一第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，李筱雯，林志翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：