半导体结构及其形成方法技术

本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：基底；第一应力材料层，位于所述基底上；应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；金属硅化物层，至少覆盖所述接触孔的部分侧壁；接触结构，位于所述接触孔内。由于在接触孔的底部和侧壁处可形成金属硅化物等低电阻的欧姆接触的介质，可提高接触结构的导电性能，这样可提高器件导通的电流，优化器件性能。优化器件性能。优化器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体器件制造的
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)接触电阻一直是限制半导体行业发展的一个主要问题，影响器件的功耗，稳定性和使用寿命等。尤其是针对high
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k metal gate、FinFET等先进工艺制程中,通过引入应力工程，提高载流子迁移率在源极/漏极(Source/Drain)选择性外延引入SiGe。在传统的DRAM工艺中，主要通过对刻蚀通孔填充并反应，从而形成金属硅化物用以制备欧姆接触。由于源极/漏极SiGe的引入，反应生成不完全的金属硅化物会导致接触高阻等问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的是提供一种半导体结构及其形成方法。
[0004]本申请的第一方面提供了一种半导体结构，包括：基底；第一应力材料层，位于所述基底上；应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；金属硅化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一应力材料层，位于所述基底上；应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；金属硅化物层，至少覆盖所述接触孔的部分侧壁；接触结构，位于所述接触孔内。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力缓冲层包括半导体材料。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体材料包括单晶硅、多晶硅中的一种或两种的组合。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层至少覆盖所述接触孔内应力缓冲层的部分侧壁。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属硅化物层覆盖所述接触孔的底部。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二应力材料层，所述第二应力材料层位于第一应力材料层和应力缓冲层之间。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二应力材料层掺杂褚的浓度高于所述第一应力材料层掺杂褚的浓度。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构与所述金属硅化物层接触。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层包括TiSi2、CoSi2、NiPtSi中的一种或多种。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有源极区和漏极区；所述第一应力材料层位于所述源极区和/或漏极区上。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一应力材料层；在所述第一应力材料层上形成应力缓冲层；形成接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；在所述接触孔的至少部分侧壁形成金属硅化物层；在所述接触孔内填充导电材料形成接触结构。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宇桐，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：