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本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：基底；第一应力材料层，位于所述基底上；应力缓冲层，位于所述第一应力材料层上；接触孔，所述接触孔贯穿所述应力缓冲层，延伸至所述第一应力材料层内；金属硅化物层，至少覆盖所述接触孔的部分侧...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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