半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置的形成方法。本发明专利技术的方法包括接收含有半导体层的堆叠的工件；沉积第一垫氧化物层于堆叠的含锗顶层上；沉积第二垫氧化物层于第一垫氧化物层上；沉积垫氮化物层于第二垫氧化物层上；以及采用第一垫氧化物层、第二垫氧化物层、与垫氮化物层作为硬遮罩层，以图案化堆叠。沉积第一垫氧化物层的步骤采用第一氧等离子体功率，沉积第二垫氧化物层的步骤采用第二氧等离子体功率，且第二氧等离子体功率大于第一氧等离子体功率。离子体功率大于第一氧等离子体功率。离子体功率大于第一氧等离子体功率。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及形成多桥通道晶体管的方法，更特别涉及自具有含锗顶层的堆叠形成鳍状结构的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的演进中，功能密度(单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的制程通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂度。
[0003]举例来说，随着集成电路技术朝更小的技术节点进展，已导入多栅极金属氧化物半导体场效晶体管或多栅极装置以增加栅极
‑
通道耦合、减少关闭状态电流、并减少短通道效应，进而改善栅极控制。多栅极装置通常指的是栅极结构或其部分位于通道区的多侧上的装置。鳍状场效晶体管与多桥通道晶体管为多栅极装置的例子，其变得更泛用且为高效能与低漏电流应用的有力候选。鳍状场效晶体管具有隆起的通道，且栅极包覆通道的多侧(比如栅极包覆自基板延伸的半导体材料鳍状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：接收含有多个半导体层的一堆叠的一工件，且该堆叠包括一含锗顶层；沉积一第一垫氧化物层于该含锗顶层上；沉积一第二垫氧化物层于该第一垫氧化物层上；沉积一垫氮化物层于该第二垫氧化物层上；以及采用该第一垫氧化物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅世豪，周鸿儒，张哲纶，郭俊铭，彭远清，林颂恩，郑农哲，王俊尧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：