半导体器件的接触件及其形成方法技术

本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极/漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道区域之上；第二沟道区域，在衬底中与第二源极/漏极区域相邻，第二沟道区域的顶表面低于第一沟道区域的顶表面；第二栅极，在第二沟道区域之上；ILD，在第一栅极和第二栅极之上；第一接触件，其延伸穿过ILD并且耦合到第一源极/漏极区域；以及第二接触件，其延伸穿过ILD、耦合到第二源极/漏极区域、并且具有大于第一接触件的宽度的宽度和大于第一接触件的高度的高度。大于第一接触件的高度的高度。大于第一接触件的高度的高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的接触件及其形成方法


[0001]本公开一般地涉及半导体器件的接触件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数码相机及其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：依次在半导体衬底之上沉积绝缘或电介质材料层、导电材料层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定面积。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一沟道区域，所述第一沟道区域在半导体衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠在所述第一沟道区域之上；第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述半导体衬底中与第二源极/漏极区域相邻，其中，所述第二沟道区域的顶表面被设置为低于所述第一沟道区域的顶表面；第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述第二沟道区域之上；层间电介质(ILD)，所述I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一沟道区域，所述第一沟道区域在半导体衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠在所述第一沟道区域之上；第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述半导体衬底中与第二源极/漏极区域相邻，其中，所述第二沟道区域的顶表面被设置为低于所述第一沟道区域的顶表面；第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述第二沟道区域之上；层间电介质ILD，所述ILD在所述第一栅极堆叠、所述第二栅极堆叠、所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，所述第一源极/漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极接触件具有第一宽度和第一高度；以及第二源极/漏极接触件，所述第二源极/漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极接触件具有大于所述第一宽度的第二宽度和大于所述第一高度的第二高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第一栅极堆叠；以及第二栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第二栅极堆叠，所述第一栅极接触件具有第三宽度和第三高度，所述第二栅极接触件具有等于所述第三宽度的第四宽度和等于所述第三高度的第四高度。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二宽度大于所述第三宽度和所述第四宽度中的每一者，并且其中，所述第二高度大于所述第三高度和所述第四高度中的每一者。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极接触件、所述第二源极/漏极接触件、所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件的顶表面彼此齐平，其中，所述第二源极/漏极接触件的底表面被设置为低于所述第一源极/漏极接触件的底表面，并且其中，所述第一源极/漏极接触件的底表面被设置为低于所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件的底表面。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一宽度等于所述第三宽度和所述第四宽度中的每一者。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一高度大于所述第三高度和所述第四高度中的每一者。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比率为1.5至50。8.一种半导体器件，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，杨世海，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：