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本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极/漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道区域...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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