场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图技术

本发明专利技术涉及场效应晶体管结构，涉及半导体集成电路技术，把将栅极结构引出的连接孔设置在多条鳍体或半导体线体中的其中一鳍体或半导体线体的形成区域上，且使用于引出源极和漏极的连接孔与用于引出栅极结构的连接孔位于不同的鳍体或半导体线体的形成区域上，并与用于将源极和漏极引出的连接孔相邻的形成于同一鳍体或半导体线体上的栅极结构的顶部形成有一栅极盖帽层，栅极盖帽层将对应的栅极结构保护起来，用于引出栅极结构的连接孔两侧的源极和漏极上形成有埋孔，埋孔上形成有埋孔盖帽层，埋孔盖帽层将连接源极和漏极的埋孔保护起来，增加了半导体产品密度，且避免了短接，提高了场效应晶体管的可靠性。了场效应晶体管的可靠性。了场效应晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路技术，尤其涉及一种场效应晶体管。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，关键尺寸不断缩小，器件密度越来越大。立体型器件应运而生，FinFET(Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管)是一种立体型器件，相对于平面式晶体管，鳍式场效应晶体管(FinFET)具有立体式沟道结构，故具有更好的导通电流和关断电流特性，也能改善短沟道效应(SCE)。鳍式晶体管通常包括鳍体，鳍体由形成于半导体衬底上的纳米条或纳米片组成。栅极结构覆盖在部分长度的鳍体的顶部表面和侧面，被栅极结构覆盖的鳍体的表面用于形成沟道，也即在鳍体的顶部表面和两个侧面都具有沟道。源区和漏区形成在栅极结构两侧的鳍体中。
[0003]更进一步的，5nm工艺节点及以下时，鳍式场效应晶体管应用采用了纳米线(nanowire)或纳米片(nanosheet)的栅极环绕(Gate-All-Around，GAA)结构，其可进一步改善短沟道效应(SCE)。栅极环绕结构包括形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有多条鳍体或半导体线体，所述多条鳍体或半导体线体并行排列；多条多晶硅栅行，所述多条多晶硅栅行并行排列，并所述多条多晶硅栅行与所述多条鳍体或半导体线体交叉，所述多条鳍体或半导体线体与所述多条多晶硅栅行之间相交叠的区域形成有场效应晶体管的栅极结构；源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述多条鳍体或半导体线体上，并位于所述栅极结构的两侧；以及层间介质层，所述层间介质层填充半导体衬底上的所述多条多晶硅栅行以及所述多条鳍体或半导体线体之间的间隙，并覆盖所述栅极结构，在所述层间介质层中形成有第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔、第一埋孔和第二埋孔，其中所述第一连接孔和所述第二连接孔位于所述多条鳍体或半导体线体中的第一鳍体或半导体线体的形成区域上，以分别将形成于所述第一鳍体或半导体线体上的源极和漏极引出，并与所述第一连接孔和所述第二连接孔相邻的形成于所述第一鳍体或半导体线体上的栅极结构的顶部形成有一栅极盖帽层，所述第三连接孔位于所述多条鳍体或半导体线体中的第二鳍体或半导体线体的形成区域上，并与形成于所述第二鳍体或半导体线体上的栅极结构连接，以将该栅极结构引出，并在位于该栅极结构一侧的源极上形成有所述第一埋孔，在位于该栅极结构另一侧的漏极上形成有第二埋孔，在所述第一埋孔和所述第二埋孔上形成有埋孔盖帽层。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第三连接孔设置在扩散区上。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，用于引出源极和漏极的所述第一连接孔和所述第二连接孔与用于引出栅极结构的所述第三连接孔在空间上错位。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，半导体衬底与所述多条鳍体或半导体线体的材质相同。5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极结构为金属栅极结构，包括栅介质层和金属栅的叠加结构，所述栅极盖帽层形成于所述叠加结构上。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极盖帽层的材质为氮化硅。7.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第三连接孔与栅极结构的所述金属栅形成接触而将栅极结构引出以构成场效应晶体管的栅极。8.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述多条鳍体或半导体线体为半导体线体，所述栅介质层和所述金属栅包覆半导体线体的周侧而形成栅极环绕的栅极结构，栅极环绕的栅极结构与源极和漏极共同构成栅极环绕结构场效应晶体管。9.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述多条鳍体或半导体线体为鳍体，所述栅介质层和所述金属栅与鳍体形成鳍式栅极结构，鳍式栅极结构与源极和漏极共同构成鳍式场效应晶体管。10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋孔盖帽层的材质为氧化硅。11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第三连接孔形成在所述第
二鳍体或半导体线体与与其相交的多晶硅栅行之间相交叠的区域上，并位于形成在该相交叠的区域上的栅极结构上，以使所述第三连接孔与形成在该相交叠的区域上的栅极结构接触，以将栅极结构引出。12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管为7nm以下工艺节点的器件。13.一种场效应晶体管的版图，其特征在于，包括：多条鳍体或半导体线体，所述多条鳍体或半导体线体并行排列；多条多晶硅栅行，所述多条多晶硅栅行并行排列，并所述多条多晶硅栅行与所述多条鳍体或半导体线体交叉，所述多条鳍体或半导体线体与所述多条多晶硅栅行之间相交叠的区域用于形成有场效应晶体管的栅极结构；源极和漏极，源极和漏极形成在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁文寅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：