【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,特别涉及一种化学机械研磨工艺模型测试图形结构及建模方法。
技术介绍
1、现今,可制造性技术(design for manufacturability)的出现极大的缩短了产品从设计到验证的周期,在提高产品良率的同时也极大的降低了生产成本。化学机械研磨工艺(cmp)热点检测作为一项重要的可制造性检测技术,使设计者能够在产品设计初期就能及时发现与化学机械研磨工艺相关的设计缺陷,并加以修正。化学机械研磨工艺热点检测的准确性取决于化学机械研磨模型的准确性,化学机械研磨模型的建立通常包括如下步骤:测试图形设计、测试光罩制造、测试晶片加工、测试数据收集、模型校准以及模型验证。其中,测试图形的几何尺寸要覆盖产品设计规则中密度和线宽规定的范围。如图1所示,图1为现有的测试图形的示意图,然而,图1中的测试图形10为单一的线或间隔组元图形阵列测试图形,当按照一定格点大小将其划分为若干格点后(格点大小远小于设计图形阵列大小),目标格点图形几何特征与其周围格点图形几何特征近乎相同,该设计结构忽略了一些周围梯度及面积等环境因素几何特征对于目
...【技术保护点】
1.一种化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,还包括多个间隔设置的介质层量测单元。
3.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,所述单一测试图形单元位于相邻的两个所述介质层量测单元之间。
4.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型的测试图形结构,其特征在于,所述梯度差异测试图形单元位于相邻的两个所述介质层量测单元之间。
5.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,在所述面积差异测试图形单元中
...【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,还包括多个间隔设置的介质层量测单元。
3.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,所述单一测试图形单元位于相邻的两个所述介质层量测单元之间。
4.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型的测试图形结构,其特征在于,所述梯度差异测试图形单元位于相邻的两个所述介质层量测单元之间。
5.如权利要求3所述的化学机械研磨工艺模型测试图形结构,其特征在于,在所述面积差异测试图形单元中,每个所述面积差异测试图形组分别设置于相邻的两个所述介质层量测单元之间。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:张姣,储志浩,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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