高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统，方法包括：设计不同尺寸的高压MOS器件，并测量得到各器件在可操作电压范围内的直流特性数据以及在不同偏置电压条件下的闪烁噪声特性数据；基于直流特性数据，对高压MOS器件的直流性能进行模型拟合得到直流特性模型，直流特性模型包括本征电流部分以及碰撞电离电流部分；基于直流特性模型及闪烁噪声特性数据，对本征电流部分所带来的闪烁噪声和碰撞电离电流部分所带来的闪烁噪声进行模型拟合，得到闪烁噪声模型。通过拟合与碰撞电离电流大小相关联的噪声源模型，对碰撞电离电流部分的闪烁噪声特性进行函数表征，提高了高压MOS器件在高电压偏置下的闪烁噪声特性表征精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法及系统。

技术介绍

1、半导体器件的噪声，特别是闪烁噪声(1/f noise)，对于低频段的电路信号质量和稳定性尤为重要。因此，对于spice模型而言，精确地表征器件的闪烁噪声特性对之后的电路设计者设计电路起着很重要的作用。

2、近年来，随着高压集成电路芯片的广泛使用，对高压mos器件的研究和应用也是越来越多。由于高压mos器件所承受的漏源电压(vds)较高，当vds增大到接近漏极pn结雪崩击穿电压时，漏极pn结耗尽区中的载流子会发生碰撞电离，从而产生碰撞电离电流，使得漏极电流增大。现有spice模型架构中，通常是在常规mos器件的基础上，外接一个与碰撞电离电流大小相关的电流源，并以此电流源来表征碰撞电离电流对器件直流特性所带来的变化，如图1所示，其中，g、s、d、b分别表示栅极、源极、漏极和基极。然而，对于其对闪烁噪声的影响却并未涉及和详细考虑，这就导致当碰撞电离电流对器件闪烁噪声的贡献不可忽略时，电路设计者无法通过现有的通用spice模型得到可靠、精确的高压mos器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型表示如下：

3.根据权利要求2所述的高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，函数Sid(intrinsic)表示如下：

4.根据权利要求3所述的高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，对所述本征电流部分所带来的闪烁噪声进行模型拟合时，若拟合不通过，则调整所述高压MOS器件的宽度、长度、工作频率以及本征电流大小所对应的拟合参数中的至少一者并重新拟合。p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型表示如下：

3.根据权利要求2所述的高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，函数sid(intrinsic)表示如下：

4.根据权利要求3所述的高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，对所述本征电流部分所带来的闪烁噪声进行模型拟合时，若拟合不通过，则调整所述高压mos器件的宽度、长度、工作频率以及本征电流大小所对应的拟合参数中的至少一者并重新拟合。

5.根据权利要求3所述的高压mos器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，函数sid(impact)表示如下：

6.根据权利要求5所述的高压mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁琳，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：