应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统，方法包括：确定芯片发生失效的边界条件；激光扫描测试：在边界条件周围的条件下使用激光对芯片上的像素点逐个扫描，以激发芯片Pass/Fail状态改变，使得失效位置与正常位置产生衬度差异，得到激光扫描图像和衬度图像；将激光扫描图像和衬度图像叠加，以在激光扫描图像上找到失效位置，再将激光扫描图像和对应的版图图层比对，根据失效位置在版图图层上定位热点。本发明专利技术可以通过现有的光发射显微镜设备结合测试机实现对芯片的动态测试，结合光发射显微镜设备的激光扫描功能在芯片失效与正常临界状态下主动激发芯片状态发生变化，从而进行失效位置的定位，提升了先进集成电路SRAM的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体失效分析，特别涉及一种应用于先进制程sram软失效的定位方法和系统。

技术介绍

1、集成电路软失效(soft fail)通常是指芯片的失效受工作条件的影响，只在特定的工作条件下才会发生的失效。软失效对工作条件很敏感，易受温度、电压或频率等工作参数的影响。引发软失效的原因有很多，包括但不限于：栅极接触高阻(gate contact highresistance)、有源区(aa,active area)晶格位错、后端金属互连(beol)层间高阻。

2、举例而言，先进集成电路sram(static random access memory，静态随机存取存储器)发生读写测试失效，每组失效的byte(字节)固定影响8条byteline(字节线)，出现在instance(实例化模块)四个array(存储阵列)同一侧边缘区域的位置，每组间隔256byte，失效byte line长度受测试频率和测试电压的影响如图1所示，此类失效类型属于软失效，图1中fail bit mapping为失效比特映射，scan@lv是低压扫描模式，scan@mv本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于先进制程SRAM软失效的定位方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的应用于先进制程SRAM软失效的定位方法，其特征在于，所述边界条件包括电压边界条件和频率边界条件。

3.如权利要求1所述的应用于先进制程SRAM软失效的定位方法，其特征在于，进行多次激光扫描测试，得到多个所述衬度图像，将多个所述衬度图像叠加以确定所述失效位置。

4.如权利要求1所述的应用于先进制程SRAM软失效的定位方法，其特征在于，利用测试机和定位机台进行所述激光扫描测试。

5.如权利要求4所述的应用于先进制程SRAM软失效的定位方法，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种应用于先进制程sram软失效的定位方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的应用于先进制程sram软失效的定位方法，其特征在于，所述边界条件包括电压边界条件和频率边界条件。

3.如权利要求1所述的应用于先进制程sram软失效的定位方法，其特征在于，进行多次激光扫描测试，得到多个所述衬度图像，将多个所述衬度图像叠加以确定所述失效位置。

4.如权利要求1所述的应用于先进制程sram软失效的定位方法，其特征在于，利用测试机和定位机台进行所述激光扫描测试。

5.如权利要求4所述的应用于先进制程sram软失效的定位方法，其特征在于，所述激光扫描测试的方法包括：所述激光扫描测试开始时，所述测试机向所述定位机台发出trigger信号，以使所述定位机台的激光束开始扫描所述像素点，且所述测试机向所述定位机台周期性地发出trigger信号，以对所述像素点逐个扫描。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁德建，曹茂庆，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：