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本发明提供了一种应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统，方法包括：确定芯片发生失效的边界条件；激光扫描测试：在边界条件周围的条件下使用激光对芯片上的像素点逐个扫描，以激发芯片Pass/Fail状态改变，使得失效位置与正常位置产生衬度差...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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