【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件
[0001]本专利技术属于半导体功率器件
，特别是涉及一种具有缓变电容的半导体功率器件。
技术介绍
[0002]半导体功率器件包括n型衬底，位于n型衬底之上的n型外延层，凹陷在n型外延层内的若干个沟槽，位于相邻的沟槽之间的n型外延层部分为半导体功率器件的台面(mesa)结构。现有技术的半导体功率器件中的所有mesa结构的宽度都是相同的，半导体功率器件在开关时，mesa结构会在同一电压下被同时耗尽夹断，这使得电压震荡非常严重。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种半导体功率器件，以解决现有技术的半导体功率器件在开关时电压震荡严重的问题。
[0004]为达到本专利技术的上述目的，本专利技术提供了一种半导体功率器件，包括：
[0005]n型衬底；
[0006]位于所述n型衬底之上的n型外延层；
[0007]凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；
[0008]位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体功率器件，其特征在于，包括：n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型外延层；凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设有p型体区，所述p型体区内设有n型源区；所述台面结构中，包括至少一个下部宽度为第一宽度的台面结构和至少一个下部宽度为第二宽度的台面结构，所述第二宽度大于所述第一宽度。2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述下部宽度为第二宽度的台面结构的数量大于所述下部宽度为第一宽度的台面结构的数量。3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，位于所述下部宽度为第一宽度的台面结构的两侧的所述沟槽，至少有其中一个沟槽的底部设有位于所述n型...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚轶，刘伟，毛振东，徐真逸，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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