半导体器件结构、其形成方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件，该半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程，并制备栅极介质层和金属层，最终形成第一堆叠半导体器件结构。本发明专利技术通过在堆叠半导体器件结构的结构制备过程中穿插金属互连线的制备，达到增加电路集成度的目的。到增加电路集成度的目的。到增加电路集成度的目的。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构、其形成方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及集成电路设计及制造
，尤其涉及一种半导体器件结构、其形成方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]场效应晶体管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大和易于集成等特点，被广泛应用于集成电路中。随着技术的发展，器件制备工艺已经逼近其物理极限，单纯减小器件尺寸增加电路集成度的方法逐渐失效。另一方面，传统的金属互连方式是在器件的顶部进行的，虽然工艺成熟，但是占据很多空间，也限制了器件密度的进一步提升。
[0003]为提高集成电路的集成度，亟需一种半导体器件结构、其形成方法及半导体器件来改善上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件结构、其形成方法及半导体器件，用以实现增加电路集成度的目的。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种半导体器件结构的形成方法，该方法包括：
[0006]提供衬底；在所述衬底上形成K层场效应晶体管沟道材料与K+1层场效应晶体管沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层场效应晶体管沟道材料与K+1层场效应晶体管沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层场效应晶体管沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述第一鳍型结构底部的第二层场效应晶体管沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线；按需重复执行上述过程，直至共形成K个场效应晶体管的源区和漏区，以及形成与所述K个场效应晶体管的源区或漏区相接触的金属互连线；去除所有场效应晶体管沟道隔离材料，同时制备K个场效应晶体管的栅介质层，根据每个场效应晶体管阈值电压的要求由下至上分层制备栅极金属，最终形成第一堆叠半导体器件结构，K为正整数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鳍型结构底部的第一层场效应晶体管沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区之前，还包括：在所述衬底上形成金属埋线结构；形成与所述1_1效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线之前，还包括：在1_1场效应晶体管周围形成1_3金属互连线，其中，所述1_1金属互连线通过所述1_3金属互连线与金属埋线相接触。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线之前，还包括：在1_2场效应晶体管周围形成1_4金属互连线，其中，所述1_2金属互连线通过1_4金属互连线与所述金属埋线相接触。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底上形成L层场效应晶体管沟道材料与L+1层场效应晶体管沟道隔离材料交替堆叠的第二鳍型结构；在所述第二鳍型结构底部的第一层场效应晶体管沟道材料上形成2_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述2_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的2_1金属互连线；在所述第二鳍型结构底部的第二层场效应晶体管沟道材料上形成2_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述2_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的2_2金属互连线；按需重复执行上述过程，直至共堆叠形成L个场效应晶体管的源区或漏区，以及形成与所述L个...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁荣正，俞少峰，朱小娜，朱宝，尹睿，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：