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本发明涉及场效应晶体管结构，涉及半导体集成电路技术，把将栅极结构引出的连接孔设置在多条鳍体或半导体线体中的其中一鳍体或半导体线体的形成区域上，且使用于引出源极和漏极的连接孔与用于引出栅极结构的连接孔位于不同的鳍体或半导体线体的形成区域上，并...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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